[发明专利]一种以低钴含量烧结碳化钨为基体的聚晶金刚石复合片在审
| 申请号: | 201811587201.0 | 申请日: | 2018-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN110116221A | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
| 发明(设计)人: | 姜文辉 | 申请(专利权)人: | 姜文辉 |
| 主分类号: | B23B27/00 | 分类号: | B23B27/00;E21B10/567;C22C29/08 |
| 代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
| 地址: | 110016 辽宁省沈阳*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 烧结碳化 聚晶金刚石复合片 聚晶金刚石层 钨基体 触媒材料 低钴 脱除 脆性 化学气相沉积 物理气相沉积 热反应沉积 残余应力 耐磨性能 涂层覆盖 钴基合金 复合片 合金层 化学镀 抗冲蚀 可扩展 粘结剂 电镀 单层 多层 覆盖 钎焊 制备 金属 扩散 | ||
1.一种以低钴含量烧结碳化钨为基体的聚晶金刚石复合片,其特征在于,包括未脱除触媒材料或脱除触媒材料的聚晶金刚石层及低钴含量烧结碳化钨基体,其中:
按重量百分数计,低钴含量烧结碳化钨基体含有3~10%的钴或钴基合金作为粘结剂;
低钴含量烧结碳化钨基体表面至少部分被涂层所包覆。
2.根据权利要求1所述的以低钴含量烧结碳化钨为基体的聚晶金刚石复合片,其特征在于,低钴含量烧结碳化钨基体是以碳化钨作为唯一的碳化物组元的硬质合金,或者是除碳化钨外还含有其它碳化物组元的硬质合金,其它碳化物组元采用碳化钛、碳化钽、碳化铌的至少一种。
3.根据权利要求1所述的以低钴含量烧结碳化钨为基体的聚晶金刚石复合片,其特征在于,涂层中包含有金属或合金层,它是从下列金属或合金中选取:镍、铁、钴、钛、铌、锆、钒、钽、铪、铬、钨、钼、锰、银、铜、金、铂、钯,或者含有至少一种这些金属元素的合金。
4.根据权利要求1所述的以低钴含量烧结碳化钨为基体的聚晶金刚石复合片,其特征在于,涂层中包含有以碳化物形成金属元素钛、铌、锆、钒、钽、铪、铬、钨、钼或者含有至少一种这些金属元素的合金为结合层,它直接与聚晶金刚石复合片相接触。
5.根据权利要求1所述的以低钴含量烧结碳化钨为基体的聚晶金刚石复合片,其特征在于,涂层中包含有化合物层,它是从下列物质中选取:碳化物、硼化物、氮化物、氧化物、或它们的复合化合物。
6.根据权利要求1所述的以低钴含量烧结碳化钨为基体的聚晶金刚石复合片,其特征在于,涂层与聚晶金刚石复合片间为冶金结合,即在它们的界面上有碳化物形成,这些碳化物是在涂层制备、随后的热处理、或者钎焊至工具上时形成的。
7.根据权利要求6所述的以低钴含量烧结碳化钨为基体的聚晶金刚石复合片,其特征在于,产生涂层冶金结合的热处理为保温温度450℃~900℃、保持时间1分钟~120分钟。
8.根据权利要求1所述的以低钴含量烧结碳化钨为基体的聚晶金刚石复合片,其特征在于,涂层总厚度为0.1微米~100微米,最佳厚度为1微米~10微米。
9.根据权利要求1所述的以低钴含量烧结碳化钨为基体的聚晶金刚石复合片,其特征在于,涂层包覆低钴含量烧结碳化钨基体的全部表面、乃至聚晶金刚石层的部分或全部表面。
10.根据权利要求1所述的以低钴含量烧结碳化钨为基体的聚晶金刚石复合片,其特征在于,涂层的制备方法为物理气相沉积、化学气相沉积、热反应沉积和扩散、电镀、化学镀、或者它们的组合。
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