[发明专利]一种显示面板、制作方法及其显示装置在审
申请号: | 201811587045.8 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN109742086A | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 卓恩宗 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1368;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢涛 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开关元件 第一开关 显示面板 感光电流 显示装置 像素电极 遮光层 衬底 感光材料 输出端连接 感光元件 元件控制 输入端 感光 良率 源层 读出 制作 输出 覆盖 生产 | ||
本发明公开了一种显示面板、制作方法及其显示装置,显示面板包括:衬底、像素电极以及形成在所述衬底上的第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件,所述第一开关元件控制连接所述像素电极;第二开关元件感光并输出感光电流;第三开关元件的输入端与所述第二开关元件的输出端连接,读出所述第二开关元件的感光电流;其中,所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的结构相同,所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的有源层皆为相同的感光材料;所述显示面板还包括遮光层,所述遮光层覆盖所述第一开关元件和第三开关元件,并露出所述第二开关元件;可以提高带有感光元件的显示面板生产良率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板、制作方法及其显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示面板(Thin Film Transistor-LCD,TFT-LCD)近年来得到了飞速地发展和广泛地应用。就主流市场上的TFT-LCD显示面板而言,一般包括阵列基板和彩膜基板,在阵列基板上形成薄膜晶体管,薄膜晶体管控制像素电极的开关,薄膜晶体管打开时,像素电极产生电压,使得液晶分子发生偏转,显示画面。
一部分具有感光元件的显示面板,是通过感光元件的光学原理产生感光电流,由开关元件读出,可实现对显示面板的触控,指纹识别等功能,而感光元件在显示面板中的制程,稳定性等原因,使得感光元件的生产良率较低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种显示面板、制作方法及其显示装置,提高生产良率。
本发明公开了一种显示面板,包括:衬底、像素电极、形成在所述衬底上的第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件;所述第一开关元件控制连接所述像素电极;所述第二开关元件感光并输出感光电流;所述第三开关元件的输入端与所述第二开关元件的输出端连接,读取所述第二开关元件的感光电流;其中,所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的结构相同,所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的有源层皆为相同的感光材料;所述显示面板还包括遮光层,所述遮光层覆盖所述第一开关元件和第三开关元件,并露出所述第二开关元件。
可选的,所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件形成在衬底的同一层上。
可选的,感光材料为非晶硅。
可选的,所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件包括:栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和钝化层;所述第一开关元件的栅极、所述第二开关元件的栅极和所述第三开关元件的栅极形成在同一层;所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的栅极绝缘层形成在同一层;所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的有源层形成在同一层;所述第一开关元件的源极和漏极、第二开关元件的源极和漏极、第三开关元件的源极和漏极形成在同一层;所述第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的钝化层形成在同一层。
可选的,有源层上还包括欧姆接触层,欧姆接触层的宽度不超出源极和漏极的宽度。
可选的,第一开关元件和第三开关元件在像素电极区域外,第二开关元件在像素电极区域内。
本发明还公开了一种显示面板的制作方法,包括步骤:
衬底上同步形成第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的栅极;
同步形成第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的栅极绝缘层,有源层、源极和漏极;
同步形成第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的钝化层。
在第一开关元件的漏极上的钝化层形成过孔,沉积透明电极层;透明电极层与所述像素电极相连;
形成遮光层,所述遮光层覆盖所述第一开关元件和第三开关元件,并露出所述第二开关元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的