[发明专利]一种发光陶瓷釉面砖在审
| 申请号： | 201811586967.7 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109354412A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 李玲玲;吴斌 | 申请（专利权）人： | 佛山科学技术学院 |
| 主分类号： | C03C8/16 | 分类号： | C03C8/16;C03C8/02;C04B41/86 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 谢泳祥 |
| 地址： | 528000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 釉面砖 发光陶瓷 耐化学腐蚀性能 高岭土 三氧化二铝 二氧化硅 发光功能 设计图案 生产效率 制备工艺 装饰图案 纹理 发光粉 碳酸钡 碳酸锶 石英 面釉 配比 硼砂 畜能 釉面 制备 质感 清晰 风格 优化 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光陶瓷釉面砖，其特征在于，按质量份数计，包括如下原料：5～15份碳酸锶、10～20份硼砂、15～30份发光粉、20～40份高岭土、30～50份石英、10～25份碳酸钡、5～20份二氧化硅、10～25份三氧化二铝。
2.根据权利要求1所述的一种发光陶瓷釉面砖，其特征在于，按质量份数计，包括如下原料：8份碳酸锶、12份硼砂、25份发光粉、35份高岭土、40份石英、23份碳酸钡、17份二氧化硅、22份三氧化二铝。
3.根据权利要求1或2所述的发光陶瓷釉面砖的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)按配方称取碳酸锶、碳酸钡、二氧化硅、硼砂在熔块炉中于1100～1300℃的温度下熔化，水淬，烘干；
(2)加入高岭土、石英、三氧化二铝、发光粉，湿法球磨后得到釉浆；
(3)将釉浆施于胚体上，入窑烧制即得。
4.根据权利要求3所述的发光陶瓷釉面砖的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述的湿法球磨，原料与水的质量比为10:4～7。
5.根据权利要求3所述的发光陶瓷釉面砖的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述胚体的吸水率为10～20％。
6.根据权利要求3所述的发光陶瓷釉面砖的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述烧制的烧制时间为30～60min，烧制温度为1100～1300℃。
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