[发明专利]CMP聚合物去除方法在审
| 申请号： | 201811586107.3 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN109712869A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 谢玟茜 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 聚合物去除 去除 残留物缺陷 薄膜损失 清洁方式 再利用 | ||
【权利要求书】：
1.一种CMP聚合物去除方法，其特征在于：在进行完CMP后，将其残留物做完全氧化，然后再利用标准清洁方式，将残留物缺陷去除。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述氧化采用如下方法进行，将硫酸经过150～190℃预热加上常温双氧水混合后，直接用于硅片表面进行氧化反应。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述硫酸与双氧水的比例为4:1～9:1。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述氧化采用如下方法进行，利用等离子体电浆在高温腔体内进行氧化，对CMP后残留物进行表面处理。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述高温腔体内的温度为200～290℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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