[发明专利]氮化物半导体基板及其制造方法、半导体层叠物及其制造方法、以及层叠结构体

说明书

本发明涉及氮化物半导体基板及其制造方法、半导体层叠物及其制造方法、以及层叠结构体。提供一种能够增大(0001)面的曲率半径、使偏离角分布狭窄的技术。一种氮化物半导体基板，其由III族氮化物半导体的晶体形成，具有最近的低指数晶面为(0001)面的主面，沿着1‑100轴的方向以及沿着与1‑100轴垂直的11‑20轴的方向中的任一方向的(0001)面相对于主面弯曲成凹球面状，且沿着1‑100轴的方向以及沿着与1‑100轴垂直的11‑20轴的方向中的任一方向的(0001)面的曲率半径与另一方向的至少一部分(0001)面的曲率半径不同。

技术领域

本发明涉及氮化物半导体基板、半导体层叠物、层叠结构体、氮化物半导体基板的制造方法以及半导体层叠物的制造方法。

背景技术

在由氮化镓(GaN)等III族氮化物半导体的晶体形成的氮化物半导体基板中，起因于该基板的制造方法，作为相对于基板的主面最近的低指数晶面的(0001)面有时会相对于主面弯曲成凹球面状(例如专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-22212号公报

发明内容

发明要解决的问题

在氮化物半导体基板中，(0001)面如上所述地相对于主面弯曲成凹球面状时，0001轴相对于主面的法线所成的角度即偏离角在主面内具有规定的分布。

基板的偏离角例如会影响在基板上生长的半导体功能层的表面形态。例如，在基板的(0001)面的曲率半径小、基板的偏离角分布宽(偏差大)的情况下，起因于该基板的一部分偏离角，半导体功能层的一部分表面形态有可能恶化。因此，在使用该基板制作例如作为肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode，SBD)的半导体装置等时，对于从半导体功能层的表面形态恶化的部分切出的半导体装置，耐压有可能降低。

另外，例如在基板上掺杂铟(In)而形成发光层的情况下，基板的偏离角会影响发光层中的In含量。例如，在基板的(0001)面的曲率半径小、基板的偏离角分布宽的情况下，依赖于基板的偏离角分布，发光层中的In含量有可能产生偏差。因此，对于具有该发光层的发光元件，有可能产生发光波长的偏差、发光不均。

因此，为了不产生表面形态的恶化、发光不均等实用上的课题，期望能够增大(0001)面的曲率半径、使偏离角分布狭窄的技术。

本发明的目的在于，提供能够增大(0001)面的曲率半径、使偏离角分布狭窄的技术。

用于解决问题的方案

根据本发明的一个方式，提供一种氮化物半导体基板、以及与其相关联的技术，

所述氮化物半导体基板由III族氮化物半导体的晶体形成，具有最近的低指数晶面为(0001)面的主面，

沿着1-100轴的方向以及沿着与前述1-100轴垂直的11-20轴的方向中的任一方向的前述(0001)面相对于前述主面弯曲成凹球面状，

沿着前述1-100轴的方向以及沿着与前述1-100轴垂直的前述11-20轴的方向中的任一方向的前述(0001)面的曲率半径与另一方向的至少一部分前述(0001)面的曲率半径不同。

发明的效果

根据本发明，能够增大(0001)面的曲率半径、使偏离角分布狭窄。

附图说明

图1的A为示出本发明的一个实施方式的氮化物半导体基板的概略俯视图。