[发明专利]一种针对防止芯片系统上电过程漏电的设计电路

权利要求书

1.一种针对防止芯片系统上电过程漏电的电路，所述芯片系统包括电源管理单元和功能单元，所述电源管理单元包含带隙基准电压模块、第一输出LDO模块以及提供DVDD的第二输出LDO模块，所述第一输出LDO模块和第二输出LDO模块均包括第一电平转换子模块；所述芯片系统的外部只提供一个芯片使能信号EN_LDO、模拟电源端AVDD、数字电源端DVDD和接地端AVSS；其特征在于，所述功能单元包括一个模拟顶层反向器模块和多个功能模块；所述多个功能模块中的每一个均包括第二电平转换子模块和第二信号强制关断器，其中，当所述芯片使能信号EN_LDO到来前，所述模拟顶层反向器模块利用DVDD的反向信号，去控制各个所述第二信号强制关断器，使得所述多个功能模块中的各个模块在DVDD上电前，所述第二电平转换子模块的输出电位都为0，即确保所述多个功能模块中每一个的使能信号都为低。

2.根据权利要求1所述的针对防止芯片系统上电过程漏电的电路，其特征在于，所述第二电平转换子模块包括交叉耦合电路；所述信号强制关断器包括第二COMS晶体管；所述第二COMS晶体管的源极接接地端AVSS，栅极接ANA-PD端，漏极接交叉耦合电路的输出端。

3.根据权利要求2所述的针对防止芯片系统上电过程漏电的电路，其特征在于，所述信号强制关断器还包括第一COMS晶体管；所述第一COMS晶体管的源极接模拟电源端AVDD，栅极接ANA-PD端，漏极接所述交叉耦合电路的源端。

4.根据权利要求2所述的针对防止芯片系统上电过程漏电的电路，其特征在于，所述模拟顶层反向器模块包括反相器和迟滞子模块，所述迟滞子模块使所述反相器增加了防止所述提供DVDD的第二输出LDO模块输出抖动的迟滞特性。

5.根据权利要求4所述的针对防止芯片系统上电过程漏电的电路，其特征在于，所述模拟顶层反向器模块包括还包括防静电子模块，该防静电子模块包括电阻R0和COMS晶体管M0，所述电阻R0串接在DVDD的输入端和所述COMS晶体管M0的漏极；所述COMS晶体管M0的栅极和源极接所述接地端AVSS。

6.根据权利要求1-5任意一个所述的针对防止芯片系统上电过程漏电的电路，其特征在于，所述电源管理单元还包括稳压器反向器模块、第一输出LDO模块以及所述提供DVDD的第二输出LDO模块，所述第一输出LDO模块以及所述提供DVDD的第二输出LDO模块均包括第一电平转换子模块和第一信号强制关断器；当所述芯片使能信号EN_LDO到来前，所述稳压器反向器模块利用EN_LDO的反向信号，去控制各个所述第一信号强制关断器，使得所述第一输出LDO模块以及所述提供DVDD的第二输出LDO模块在EN_LDO上电前，所述第一电平转换子模块的输出电位都为0，即确保所述提供DVDD的第二输出LDO模块在EN_LDO的使能信号都为低。

7.根据权利要求6所述的针对防止芯片系统上电过程漏电的电路，其特征在于，所述第一电平转换子模块包括交叉耦合电路；第二COMS晶体管；所述第二COMS晶体管的源极接接地端AVSS，栅极接ANA-PD端，漏极接交叉耦合电路的输出端。

8.根据权利要求7所述的针对防止芯片系统上电过程漏电的电路，其特征在于，所述第一信号强制关断器还包括第一COMS晶体管；所述第一COMS晶体管的源极接模拟电源端AVDD，栅极接ANA-PD端，漏极接交叉耦合电路的源端。

9.根据权利要求8所述的针对防止芯片系统上电过程漏电的电路，其特征在于，所述第一信号强制关断器还包括在所述第二COMS晶体管的漏极接入一个到地的一个电容。