[发明专利]大阵列规模红外探测器地线结构

权利要求书

1.一种大阵列规模红外探测器地线结构，其特征在于，包括：读出电路、多个互连铟柱、P型区、多个N型区、N型层、地线引出电极、N型层电极、引线以及电路内接线；

所述多个互连铟柱设置于所述读出电路上表面，所述P型区设置于所述多个互连铟柱的上端面，所述N型区嵌装于所述P型区内，所述多个N型区分别与所述多个互连铟柱相接触，所述N型层设置于所述P型区上表面，所述地线引出电极设置于所述读出电路上表面没有所述互连铟柱的边缘区域，所述N型层电极设置于所述N型层的上表面边缘无像元区域，所述引线与所述地线引出电极和所述N型层电极连接，所述电路内接线嵌装于读出电路内，所述电路内接线与所述地线引出电极连接。

2.如权利要求1所述的大阵列规模红外探测器地线结构，其特征在于，所述N型层电极具体包括：使用钛Ti或铬Cr为材料的粘附层、和使用金Au或铂Pt+金Au为材料的接触层。

3.如权利要求2所述的大阵列规模红外探测器地线结构，其特征在于，所述粘附层厚度在10nm-200nm之间，接触层厚度在200nm-1.2um之间。

4.一种大阵列规模红外探测器地线结构制备方法，其特征在于，用于权利要求1至3中任一项所述的大阵列规模红外探测器地线结构，所述方法包括如下步骤：

在原始红外探测器地线结构的未加工的P型区上表面进行离子注入或刻蚀，使表面形成一层N型层；其中，所述原始红外探测器地线结构包括读出电路、多个互连铟柱、P型区、N型区、地线引出电极以及电路内接线，所述多个互连铟柱设置于所述读出电路上表面，所述P型区设置于所述多个互连铟柱的上端面，所述N型区嵌装于所述P型区内，所述N型区与所述多个互连铟柱相接触，所述地线引出电极设置于所述读出电路上表面没有所述互连铟柱的边缘区域，所述电路内接线嵌装于读出电路内，所述电路内接线与所述地线引出电极连接；

使用钛Ti或铬Cr为材料作为粘附层，使用金Au或铂Pt+金Au为材料作为接触层，制备N型层电极，并将所述N型层电极安装在所述读出电路上表面边缘无像元区域；

通过引线将N型层电极与所述读出电路上的地线引出电极相连接，获得最终的大阵列规模红外探测器地线结构。

5.如权利要求4所述的大阵列规模红外探测器地线结构制备方法，其特征在于，在所述未加工的大阵列规模红外探测器地线结构的P型区上表面进行离子注入或刻蚀，使表面形成一层N型层具体包括：

在所述未加工的大阵列规模红外探测器地线结构的P型区上表面进行硼B离子注入，使表面形成一层N型层；或者，采用反应离子刻蚀RIE或电感耦合等离子体刻蚀ICP进行等离子体反应刻蚀，使表面形成一层N型层。

6.如权利要求5所述的大阵列规模红外探测器地线结构制备方法，其特征在于，所述B离子注入条件具体为：注入能量100KeV-400KeV，N型区深度1-2μm，N型浓度10¹⁷-10¹⁸cm^-3。

7.如权利要求5所述的大阵列规模红外探测器地线结构制备方法，其特征在于，所述等离子体反应刻蚀条件具体为：压力2-100mbar，等离子体功率80-400W，等离子体偏压50-400V，氩Ar流量2sccm-30sccm；N型区深度1-2μm，N型浓度10¹⁷-10¹⁸cm^-3。

8.如权利要求4所述的大阵列规模红外探测器地线结构制备方法，其特征在于，所述粘附层厚度在10nm-200nm之间，接触层厚度在200nm-1.2um之间。