[发明专利]一种CMOS工艺激光驱动电路有效
| 申请号: | 201811581648.7 | 申请日: | 2018-12-24 | 
| 公开(公告)号: | CN109818257B | 公开(公告)日: | 2020-09-11 | 
| 发明(设计)人: | 边强;时飞;李全利;陈茂鑫;赵伟;宋小敬;王佳 | 申请(专利权)人: | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 | 
| 主分类号: | H01S5/042 | 分类号: | H01S5/042 | 
| 代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 徐晓艳 | 
| 地址: | 100076 北*** | 国省代码: | 北京;11 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 cmos 工艺 激光 驱动 电路 | ||
1.一种CMOS工艺激光驱动电路,其特征在于:包括共模反馈电路(4),该共模反馈电路(4),将差分数字电压信号转化为开关电流信号,用于驱动激光二极管,同时,接收外部设置的参考电流信号,采用负反馈的原理,调节外部输入的差分数字电压信号的电平,进而调节开关电流信号的大小,使之与参考电流信号成正比;
共模反馈电路(4)包括电压调节级、缓冲驱动级、电流输出级、电压反馈级;
电压调节级,接收差分数字电压信号,比较参考电压和电压反馈级输出的反馈电压,根据比较结果调节差分数字电压信号电平,即当反馈电压大于参考电压时,升高差分数字信号的电平;否则,降低差分数字信号的电平,将调节后的差分数字电压信号发送至缓冲驱动级;
缓冲驱动级,降低调节后的差分数字电压信号的共模电平,得到驱动差分电压信号,驱动差分电压信号的低电平小于电流输出级的开启阈值电压;
电流输出级,将驱动差分电压信号正负两路信号分别转换为开关电流信号,开关电流信号的幅度与差分数字电压信号的大小成正比;
电压反馈级,将开关电流信号转化为反馈电压,反馈至电压调节级。
2.根据权利要求1所述的一种CMOS工艺激光驱动电路,其特征在于:所述电压调节级包括运算放大器OPA_1、电流驱动管M10、NMOS管M1、M2、电阻R7、R8、R3;
运算放大器OPA_1的正极输入端连接参考电压,负极输入端连接反馈电压,输出端连接电流驱动管M10的栅极;电流驱动管M10的源极连接至内核电压,电流驱动管M10的漏极并联连接电阻R7、R8的一端;NMOS管M1和M2的栅极分别连接差分数字电压信号的正端和负端,NMOS管M1和M2的源极通过电阻R3接地,NMOS管M1和M2的漏极分别连接电阻R7、R8的另一端;NMOS管M1和M2的漏极的电压信号为调节后的差分数字电压信号。
3.根据权利要求1所述的一种CMOS工艺激光驱动电路,其特征在于:所述缓冲驱动级包括两个由NMOS管和电流源构成的跟随器实现;具体为:所述缓冲驱动级包括NMOS管M3、M4和电流源I1、I2;NMOS管M3和电流源I1构成第一跟随器,NMOS管M3的漏极连接内核电压,栅极连接电压调节级输出信号正端,源极为驱动差分电压信号的正端,通过电流源I1接地;NMOS管M4和电流源I2构成第二跟随器,NMOS管M4的漏极连接内核电压,栅极连接电压调节级输出信号负端,源极为驱动差分电压信号的负端,通过电流源I2接地。
4.根据权利要求1所述的一种CMOS工艺激光驱动电路,其特征在于:所述电流输出级包括NMOS管M5、M6;
NMOS管M5、M6的栅极分别连接驱动差分电压信号的正端和负端,NMOS管M5的漏极为开关电流信号正端输出;NMOS管M6的漏极为开关电流信号负端输出,NMOS管M5、M6的源极并联连接至电压反馈级。
5.根据权利要求4所述的一种CMOS工艺激光驱动电路,其特征在于:所述电流输出级还包括NMOS管M7和M8,NMOS管M7的栅极和源极共同连接至NMOS管M5的栅极,NMOS管M7的漏极连接至NMOS管M6的漏极;NMOS管M8的栅极和源极共同连接至NMOS管M6的栅极,NMOS管M8的漏极连接至NMOS管M5的漏极。
6.根据权利要求1所述的一种CMOS工艺激光驱动电路,其特征在于:所述电压反馈级包括电阻R4,R4的一端接地,另一端共同连接NMOS管M5、M6的源极,将开关电流信号转化为反馈电压输出。
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