[发明专利]一种用于半导体芯片的镀金液、镀金方法及镀镍金方法

权利要求书

1.一种用于半导体芯片的镀金液，其特征在于：包括4-10g/L的水溶性金盐、12-20g/L的pH缓冲剂、4-8g/L的络合剂、30-45g/L的掩蔽剂和水。

2.根据权利要求1所述的用于半导体芯片的镀金液，其特征在于：所述镀金液的pH为5-7，优选的，所述镀金液的pH为5-6。

3.根据权利要求1或2所述的用于半导体芯片的镀金液，其特征在于：所述水溶性金盐为氰化亚金钾、亚硫酸金钠、三水合氯化金盐酸和硫代苹果酸金钠中的一种或多种的组合，优选的，所述水溶性金盐为氰化亚金钾。

4.根据权利要求1-3任一所述的用于半导体芯片的镀金液，其特征在于：所述pH缓冲剂为氯化铵、磷酸氢二钾、乙酸钠和柠檬酸三钠中的一种或多种的组合。

5.根据权利要求1-4任一所述的用于半导体芯片的镀金液，其特征在于：所述络合剂为柠檬酸、柠檬酸的可溶盐、亚硫酸钠、硫代硫酸钠和酒石酸钾钠中的一种或多种的组合，优选的，所述络合剂为柠檬酸与柠檬酸的可溶盐的混合。

6.根据权利要求1-5任一所述的用于半导体芯片的镀金液，其特征在于：所述掩蔽剂为乙二胺四乙酸或其盐、羟乙基亚胺二乙酸或其盐和二乙基三胺五乙酸或其盐中的一种或几种的组合，优选的，所述掩蔽剂为乙二胺四乙酸或其盐。

7.一种使用如权利要求1-6任一所述的镀金液对半导体芯片进行镀金的方法。

8.根据权利要求7所述的半导体芯片的镀金的方法，其特征在于：镀金过程中镀金液的温度为60-100℃，优选的，镀金过程中镀金液的温度为80-90℃。

9.根据权利要求7或8所述的半导体芯片的镀金的方法，其特征在于：使用同一批镀金液处理不同批次半导体芯片，不同批次的半导体芯片的处理时间依次增加，优选的，每批次半导体芯片的处理时间比上一批次半导体芯片的处理时间增加60-90秒。

10.一种半导体芯片的镀镍金的方法，其特征在于：包括：依次进行：

第一步、半导体芯片表面预处理，优选的，所述第一步包括依次进行半导体芯片表面氧化层去除、清洗、半导体芯片表面活化；

第二步、对所述半导体芯片进行镀镍；

第三步、使用如权利要求7-9任一所述的半导体芯片的镀金方法对所述半导体芯片进行镀金；

第四步、烘干，优选的，所述第四步包括热水慢提拉和红外烘干。