[发明专利]薄膜体声波滤波器及其封装方法

权利要求书

1.一种薄膜体声波滤波器，其特征在于，包括：

硅衬底，其包括相对的正面和背面，

多层绝缘层，沉积于所述硅衬底的正面上；

FBAR器件，沉积于最顶层的所述绝缘层上，所述FBAR器件包括自绝缘层的顶面从下往上依次沉积的下电极、压电材料层和上电极；

背腔，其自硅衬底的背面刻蚀至下电极形成，且所述背腔对应的位置为压电振荡有效区域，使压电振荡有效区域的下电极直接与零声阻抗的空气接触；

至少两个导电柱，所述导电柱从硅衬底的背面引出所述上电极和下电极；

布拉格反射层，沉积于所述上电极上；

钝化层，沉积于所述布拉格反射层上；

其中，所述硅衬底的正面、除最顶层绝缘层外的其他每层绝缘层的上表面均形成凹凸不平的交齿面。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波滤波器，其特征在于，

所述下电极，沉积于最顶层的所述绝缘层上，所述下电极包括两者之间刻蚀断开的下电极主体部和下电极引出部；

所述压电材料层，沉积于下电极上，且所述压电材料层对应所述下电极引出部的位置设置一第一凹槽；

所述上电极，沉积于压电材料层上，且所述上电极通过第一凹槽延伸到所述下电极引出部，且与所述下电极引出部齐平。

3.根据权利要求1所述的薄膜体声波滤波器，其特征在于，

所述下电极，沉积于最顶层的所述绝缘层上，所述下电极包括两者之间刻蚀断开的下电极主体部和下电极引出部；

所述压电材料层，沉积于下电极上，且所述压电材料层上刻蚀出环绕所述压电振荡有效区域一周的第二凹槽；

所述上电极，沉积于压电材料层上，且所述上电极包括刻蚀断开的上电极主体部和上电极引出部，所述上电极引出部通过第二凹槽与下电极主体部连接，所述上电极主体部通过第二凹槽延伸到所述下电极引出部，且与所述下电极引出部齐平。

4.根据权利要求2所述的薄膜体声波滤波器，其特征在于，所述上电极、布拉格反射层沉积时将所述第一凹槽的侧壁完全覆盖。

5.根据权利要求3所述的薄膜体声波滤波器，其特征在于，所述上电极、布拉格反射层沉积时将所述第二凹槽的侧壁完全覆盖。

6.根据权利要求1所述的薄膜体声波滤波器，其特征在于，所述钝化层的厚度为10μm -15μm。

7.根据权利要求1所述的薄膜体声波滤波器，其特征在于，所述导电柱上还设置有UBM层，将所述上电极和下电极引出，且所述UBM层上植有焊球。

8.一种薄膜体声波滤波器的封装方法，其特征在于，包括：

S1，在硅衬底的正面上沉积多层绝缘层，且在沉积多层绝缘层之前，对硅衬底正面以及在沉积下一层绝缘层时将上一层绝缘层的上表面进行等离子体轰击，以刻蚀形成凹凸不平的交齿面；

S2，在最顶层的所述绝缘层上沉积FBAR器件，所述FBAR器件包括自绝缘层的顶面从下往上依次沉积的下电极、压电材料层和上电极，再在所述上电极上依次沉积布拉格反射层和钝化层；

S3，在硅衬底的背面进行减薄抛光后刻蚀背腔和通孔，所述背腔和通孔均自硅衬底的背面刻蚀至下电极形成，并在通孔内电镀形成导电柱，再在所述导电柱上制作UBM层，将上、下电极通过所述导电柱从硅衬底的背面引出，所述背腔对应的位置为压电振荡有效区域，使压电振荡有效区域的下电极直接与零声阻抗的空气接触；

S4，最后在所述UBM层上植焊球，完成FBAR器件的封装。