[发明专利]漂移探测器及其制作方法

权利要求书

1.一种漂移探测器，其特征在于，包括：

第一导电半导体基板；

本征半导体层，位于所述第一导电半导体基板表面上；

第二导电半导体层和第三导电半导体层，分别位于所述本征半导体层表面上；

金属电极层，位于所述第二导电半导体层和第三导电半导体层上；以及

隔离层，位于所述第一导电半导体基板表面上，用于隔离第二导电半导体层和第三导电半导体层；

其中，第二导电半导体层与第一导电半导体基板的导电类型相反，第三导电半导体层与第一导电半导体基板的导电类型相同，第二导电半导体层、位于其下方的本征半导体层和第一导电半导体基板共同构成第一纵向结，该第一纵向结为PN结，所述PN结形成：漂移电极、第一保护环、入射窗口和第二保护环；第三导电半导体层、位于其下方的本征半导体层和第一导电半导体基板共同构成第二纵向结，该第二纵向结为高低结，所述高低结形成：阳极、第一接地电极和第二接地电极；

所述阳极、漂移电极、第一保护环和第一接地电极位于第一导电半导体基板的一面，且由中心往外围依次分布；

所述入射窗口，第二保护环和第二接地电极位于第一导电半导体基板的另一面，且入射窗口与阳极和漂移电极所在区域对应，第二保护环与第一保护环对应，第二接地电极与第一接地电极对应。

2.根据权利要求1所述的漂移探测器，其中，所述漂移电极为一个个分离的环状结构，环的形状为圆形、方形、多边形或者不规则形状，形成一个个分离的漂移环，所述阳极位于最内环的漂移环的中心。

3.根据权利要求2所述的漂移探测器，其中，各个所述分离的漂移环之间通过分压器相连，所述分压器形成于各个漂移环之间的隔离层之上，由一第二导电半导体薄膜制成，与形成漂移环的第二导电半导体层为一体化结构。

4.根据权利要求3所述的漂移探测器，其中，

所述漂移环所在的环形区域一部分被隔离层覆盖，未被覆盖的区域形成第一接触孔，金属电极层通过该第一接触孔和漂移环中的第二导电半导体层进行接触；除了完全覆盖第一接触孔之外，每一个漂移环上的该金属电极层还延伸至相邻漂移环之间的隔离层上面，与相邻漂移环之上的金属电极层、相邻漂移环之间的分压器之间均存在间隙或隔离层；和/或，

所述第一保护环和第二保护环为一个个分离的同心保护环，同心保护环所在的环形区域一部分被隔离层覆盖，未被覆盖的区域形成第二接触孔，金属电极层通过该第二接触孔和同心保护环中的第二导电半导体层进行接触；除了完全覆盖第二接触孔之外，每一个同心保护环上的该金属电极层还延伸至相邻保护环之间的隔离层上面，与相邻保护环之上的金属电极层之间存在间隙。

5.根据权利要求1所述的漂移探测器，其中，所述漂移电极为一体化的螺旋结构，该漂移电极从内到外螺旋式的延伸。

6.根据权利要求5所述的漂移探测器，其中，所述金属电极层位于螺旋结构的最外环和最内环上形成金属接触。

7.根据权利要求1所述的漂移探测器，其中，

所述金属电极层全部覆盖于入射窗口上；或者，

所述金属电极层只在入射窗口边缘的环形区域覆盖，形成金属接触。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的漂移探测器，其中，所述第一导电半导体基板只包括含有第一导电掺杂剂的基区，不包括除基区之外的掺杂区。