[发明专利]一种聚多巴胺修饰的导电高分子纳米材料及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种聚多巴胺修饰的导电高分子纳米材料的制备方法，其特征在于，该纳米材料PSBTBT@PDA NPs是在导电高分子纳米颗粒PSBTBT NPs表面包覆多巴胺后形成的，PSBTBT@PDA NPs的颗粒尺寸均一，粒径在68-71nm，该纳米材料的主要制备步骤为：

1)利用再沉淀法将导电高分子PSBTBT制备成纳米颗粒PSBTBT NPs；

2)将PSBTBT NPs加到含有多巴胺的Tris-HCl缓冲液中，室温下震荡8-10h；

3)用超纯水清洗步骤2中的产物，离心纯化3次，得到的终产物PSBTBT@PDA NPs分散在超纯水中；

所述步骤2中PSBTBT NPs溶液的浓度为0.08mg/mL，Tris-HCl缓冲液中多巴胺浓度为0.5mg/mL，Tris-HCl缓冲液的浓度为10mM、pH值为8.5；

包覆聚多巴胺之后纳米颗粒的光热性能和光声信号都有所增强，且最终制备的纳米材料具有好的生物相容性，无毒性；

其中，PSBTBT的结构式如下：

2.如权利要求1所述的聚多巴胺修饰的导电高分子纳米材料的制备方法，其特征在于，所述步骤3中的离心转速为12000rpm/min，离心时间为15-20min。

3.如权利要求2所述的聚多巴胺修饰的导电高分子纳米材料的制备方法，其特征在于，所述PSBTBT NPs的制备步骤为：首先配制PSBTBT的四氢呋喃溶液；接着将PSBTBT的四氢呋喃溶液在超声的状态下，快速的打入到超纯水中，超声8-10min；最后利用旋蒸的方法去除四氢呋喃，用0.22μm水相过滤头过滤，得到PSBTBT NPs。