[发明专利]具有镜像对称像素列的图像传感器在审
申请号: | 201811574493.4 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN110581966A | 公开(公告)日: | 2019-12-17 |
发明(设计)人: | 马渕圭司;真锅宗平 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374 |
代理公司: | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘媛媛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素单元 列位线 像素列 图像传感器 图像数据 耦合到 邻接 读出 镜像对称 垂直地 | ||
本公开提供一种图像传感器。所述图像传感器包含:第一像素列,其包含:第一像素单元;第二像素单元,其垂直地邻接于所述第一像素单元;第一列位线,其耦合到所述第一像素单元,其中由所述第一像素单元获取的图像数据通过所述第一列位线读出;及第二列位线,其耦合到所述第二像素单元,其中由所述第二像素单元获取的图像数据通过所述第二列位线读出;及第二像素列,其水平地邻接于所述第一像素列,其中所述第一像素列及所述第二像素列关于所述像素单元与所述列位线之间的连接镜像对称。
技术领域
本公开大体上涉及图像传感器,且尤其(但非排它地)涉及具有关于像素单元与列位线之间的连接镜像对称的像素列的图像传感器。
背景技术
当今,有源像素图像传感器通常构建在p型或n型硅衬底上。有源像素传感器为具有例如放大器的有源电路元件的传感器,所述有源电路元件在每一像素中或与每一像素相关联。互补金属氧化硅(complementary metal oxide silicon;CMOS)晶体管为其中由相反掺杂剂(一个p型且一个n型)构成的两个晶体管以互补方式布线在一起的晶体管。
一些CMOS图像传感器具有每列多个位线以便同时输出多个信号。这类布置遭受由多个位线之间的电容耦合造成的像素间串扰。此前,每列的位线的数目并不多,因此位线之间的空间相对较大且耦合效应可忽略。但目前,一些CMOS图像传感器具有更多位线,导致更严重电容耦合效应及像素间串扰。因此,在所属领域内需要提供具有减少的串扰同时维持现有CMOS图像传感器的全部当前优势及发展水平的CMOS图像传感器。
发明内容
根据本公开的一方面,公开一种成像传感器。所述图像传感器包含:第一像素单元;第二像素单元,其垂直地邻接于所述第一像素单元;第三像素单元,其水平地邻接于所述第二像素单元;第四像素单元,其水平地邻接于所述第一像素单元且垂直地邻接于所述第三像素单元,其中所述第一像素单元、所述第二像素单元、所述第三像素单元及所述第四像素单元经布置成像素单元的2×2阵列;第一列位线,其耦合到所述第一像素单元,其中由所述第一像素单元获取的图像数据通过所述第一列位线读出;第二列位线,其耦合到所述第二像素单元,其中由所述第二像素单元获取的图像数据通过所述第二列位线读出;第三列位线,其耦合到所述第三像素单元,其中由所述第三像素单元获取的图像数据通过所述第三列位线读出,且其中所述第二列位线在所述第一列位线与所述第三列位线之间;及第四列位线,其耦合到所述第四像素单元,其中由所述第四像素单元获取的图像数据通过所述第四列位线读出,且其中所述第三列位线在所述第二列位线与所述第四列位线之间。
根据本公开的另一方面,公开一种成像传感器。所述图像传感器包含:第一像素列,其包含:第一像素单元;第二像素单元,其垂直地邻接于所述第一像素单元;第一列位线,其耦合到所述第一像素单元,其中由所述第一像素单元获取的图像数据通过所述第一列位线读出;第二列位线,其耦合到所述第二像素单元,其中由所述第二像素单元获取的图像数据通过所述第二列位线读出;及第二像素列,其水平地邻接于所述第一像素列,其中所述第一像素列及所述第二像素列关于所述像素单元与所述列位线之间的连接镜像对称。
根据本公开的另一方面,第一像素列包含:第一像素单元、第二像素单元、第三像素单元及第四像素单元,其以此次序布置:所述第一像素单元、所述第二像素单元、所述第三像素单元及所述第四像素单元;第一列位线,其耦合到所述第一像素单元及所述第二像素单元,其中由所述第一像素单元获取的图像数据或由所述第二像素单元获取的图像数据通过所述第一列位线选择性地读出;第二列位线,其耦合到所述第三像素单元及所述第四像素单元,其中由所述第三像素单元获取的图像数据或由所述第四像素单元获取的图像数据通过所述第二列位线选择性地读出;及第二像素列,其水平地邻接于所述第一像素列,其中所述第一像素列及所述第二像素列关于所述像素单元与所述列位线之间的连接镜像对称。
附图说明
图1为展示根据本公开的一些实施例的图像传感器的框图。
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