[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法及浅沟槽隔离结构

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

形成衬底，所述衬底内具有浅沟槽、且所述衬底表面具有研磨停止层；

沉积绝缘材料，形成绝缘介质层，所述绝缘介质层填充于所述浅沟槽内、并覆盖于所述研磨停止层与所述衬底表面；

平坦化所述绝缘介质层至预设厚度，平坦化后，与所述浅沟槽对应位置的所述绝缘介质层的顶面和与所述研磨停止层对应位置的所述绝缘介质层的顶面平齐；

研磨具有所述预设厚度的所述绝缘介质层，去除位于所述研磨停止层表面的所述绝缘介质层，且在研磨过程中所述绝缘介质层的研磨速率大于所述研磨停止层的研磨速率；

彻底去除所述研磨停止层，形成浅沟槽隔离结构，避免了所述研磨停止层在所述衬底表面的残留，所述浅沟槽隔离结构的顶部具有凹陷，且所述浅沟槽隔离结构的顶面位于所述衬底的顶面之下。

2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，形成衬底的具体步骤包括：

提供衬底；

沉积氮化物材料于所述衬底表面，形成所述研磨停止层；

刻蚀所述研磨停止层和所述衬底，于所述衬底内形成所述浅沟槽。

3.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，形成所述研磨停止层之前还包括如下步骤：

沉积氧化物材料于所述衬底表面，形成衬垫氧化层。

4.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述研磨停止层的材料为氮化硅。

5.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述预设厚度为

6.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，形成绝缘介质层的具体步骤包括：

沉积氧化层材料于所述浅沟槽的侧壁及底壁表面，形成第一衬底层；

沉积氮化物材料于所述第一衬底层表面，形成第二衬底层；

沉积所述绝缘材料，形成覆盖所述第二衬底层、所述研磨停止层与所述衬底表面的所述绝缘介质层。

7.根据权利要求6所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，形成绝缘介质层的具体步骤包括：

采用高密度等离子体化学气相沉积工艺沉积所述绝缘材料，形成所述绝缘介质层。

8.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述绝缘材料为二氧化硅。

9.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，去除所述研磨停止层的具体步骤包括：

采用湿法刻蚀工艺去除所述研磨停止层。

10.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，采用如权利要求1-9中任一项所述的方法制造而成。