[发明专利]单晶硅炉用炭炭导流筒修复腐蚀层的工艺方法有效
申请号: | 201811574130.0 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN109338458B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 王金铎;啜艳明;郭宾;胡士伟;周倩 | 申请(专利权)人: | 保定顺天新材料股份有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06;C23C16/26 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 刘敏 |
地址: | 074100 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单晶硅 炉用炭炭 导流 修复 腐蚀 工艺 方法 | ||
1.一种单晶硅炉用炭炭导流筒修复腐蚀层的工艺方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、将被腐蚀的导流筒放入高温炉中,进行高温处理,高温炉的温度为2000℃,保温处理2小时;
S2、使用刀具处理导流筒的外表面,对导流筒的外表面进行切削,保证其外表面平整;对导流筒的外表面厚度切削控制在1-2mm,保证导流筒外侧的腐蚀层切削完全;
S3、将步骤S2切削后的导流筒再次放置在化学气相沉积炉中进行高温处理,其中化学气相沉积炉的温度为1060-1070℃,保温40-50小时,碳源性气体的滞留时间不超过20秒。
2.根据权利要求1所述的单晶硅炉用炭炭导流筒修复腐蚀层的工艺方法,其特征在于:经过所述的单晶硅炉用炭炭导流筒修复腐蚀层的工艺方法处理后的导流筒使用寿命延长6个月以上。
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