[发明专利]一种基于金锡合金焊料环的陶瓷外壳平行缝焊密封方法在审
申请号: | 201811571930.7 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN109712895A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 付磊;田爱民;刘洪涛 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 于晓波 |
地址: | 110032 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 盖板 金锡合金焊料 平行缝焊密封 陶瓷外壳 装配体 管壳 密封 集成电路电子封装 平行缝焊机 气密性检测 电极压力 紧密贴合 脉冲周期 平行缝焊 施加压力 陶瓷管壳 对齐 焊料环 放入 缝焊 检漏 脉宽 预烘 | ||
1.一种基于金锡合金焊料环的陶瓷外壳平行缝焊密封方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:
(1)将陶瓷管壳和盖板放入平行缝焊机中进行预烘培,以去除其中的水汽及其他氧化物;预烘焙后取出;
(2)将带有焊料环的盖板放置在管壳上并对齐,形成装配体;
(3)对装配体施加压力,使盖板与管壳之间紧密贴合;
(4)采用平行缝焊进行密封。
2.根据权利要求1所述的基于金锡合金焊料环的陶瓷外壳平行缝焊密封方法,其特征在于:步骤(1)中,所述预烘培的温度为125℃,预烘培时间为24h。
3.根据权利要求1所述的基于金锡合金焊料环的陶瓷外壳平行缝焊密封方法,其特征在于:步骤(3)中,所施加压力值为1.5磅。
4.根据权利要求1所述的基于金锡合金焊料环的陶瓷外壳平行缝焊密封方法,其特征在于:步骤(4)中,所述平行缝焊过程工艺参数为:功率1300-1500W、脉宽5-7ms、脉冲周期60-80ms、电极压力100-150N、缝焊速度1.0-1.5mm/s。
5.根据权利要求4所述的基于金锡合金焊料环的陶瓷外壳平行缝焊密封方法,其特征在于:步骤(4)中,所述平行缝焊过程工艺参数为:功率1380-1420W、脉宽5-7ms、脉冲周期70-78ms、电极压力110-135N、缝焊速度1.0-1.3mm/s。
6.根据权利要求1所述的基于金锡合金焊料环的陶瓷外壳平行缝焊密封方法,其特征在于:所述盖板为4J42合金或4J29合金;所述焊料环为AuSn合金,AuSn合金中Au含量为80wt.%,Sn含量为20wt.%;焊料环厚度50μm。
7.根据权利要求1所述的基于金锡合金焊料环的陶瓷外壳平行缝焊密封方法,其特征在于:所述陶瓷管壳上待密封区域表面依次镀有镍层和金层,镍层为内层,镍层厚度1.3-8.9μm,金层为最外层,金层厚度1.3-5.7μm。
8.根据权利要求1所述的基于金锡合金焊料环的陶瓷外壳平行缝焊密封方法,其特征在于:采用该方法密封后,气密性检测结果:检漏率小于5x10-9Pa·mm3/s。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造