[发明专利]显示装置及其制造方法在审
| 申请号: | 201811571921.8 | 申请日: | 2014-11-21 |
| 公开(公告)号: | CN110010625A | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
| 发明(设计)人: | 山崎舜平;大野正胜;安达广树;井户尻悟;武岛幸市 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L29/786;H01L51/56;H01L51/52;H01L41/314 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;杨美灵 |
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机树脂层 衬底 绝缘膜 分离工序 附着性 粘合层 粘合 第二元件 第一元件 显示装置 贴合 制造 | ||
1. 一种显示装置的制造方法,该方法具有如下步骤:
准备叠层物,该叠层物具备第一衬底、位于所述第一衬底上的有机树脂层、位于所述有机树脂层上的晶体管、位于所述晶体管上的EL元件、位于所述EL元件上的第二衬底、及位于所述EL元件和所述第二衬底之间的具有树脂材料的密封层和多个绝缘层;以及
隔着所述第一衬底对所述有机树脂层照射激光,从所述叠层物剥离所述第一衬底。
2. 一种显示装置的制造方法,该方法具有如下步骤:
准备叠层物,该叠层物具备第一衬底、位于所述第一衬底上的有机树脂层、位于所述有机树脂层上的晶体管、位于所述晶体管上的EL元件、位于所述EL元件上的第二衬底、及位于所述EL元件和所述第二衬底之间的具有树脂材料的密封层和多个绝缘层;以及
边使液体浸透到所述第一衬底和所述有机树脂层的界面,边隔着所述第一衬底对所述有机树脂层照射激光,从所述叠层物剥离所述第一衬底。
3.根据权利要求2所述的显示装置的制造方法,其中,
所述液体是水。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的显示装置的制造方法,其中,
在所述有机树脂层和所述晶体管之间设置具有叠层结构的第二绝缘层,所述第二绝缘层具有氧化硅、氧氮化硅、氮化硅、氮氧化硅中任一种。
5.一种显示装置的制造方法,该方法具有如下步骤:
准备叠层物,该叠层物具备第一衬底、位于所述第一衬底上的有机树脂层、位于所述有机树脂层上的晶体管、位于所述晶体管上的EL元件、位于所述EL元件上的第二衬底、及围绕具有所述晶体管及所述EL元件的像素部且将所述第一衬底和所述第二衬底进行粘合的密封材料;以及
隔着所述第一衬底对所述有机树脂层照射激光,从所述叠层物剥离所述第一衬底。
6. 一种显示装置的制造方法,该方法具有如下步骤:
准备叠层物,该叠层物具备第一衬底、位于所述第一衬底上的有机树脂层、位于所述有机树脂层上的晶体管、位于所述晶体管上的EL元件、位于所述EL元件上的第二衬底、位于所述第二衬底和所述EL元件之间的具有树脂材料的密封层、及围绕具有所述晶体管和所述EL元件的像素部以及所述密封层且将所述第一衬底和所述第二衬底进行粘合的密封材料;以及
隔着所述第一衬底对所述有机树脂层照射激光,从所述叠层物剥离所述第一衬底。
7.一种显示装置的制造方法,该方法具有如下步骤:
准备叠层物,该叠层物具备第一衬底、位于所述第一衬底上的有机树脂层、位于所述有机树脂层上的晶体管、位于所述晶体管上的EL元件、位于所述EL元件上的第二衬底、及围绕具有所述晶体管和所述EL元件的像素部且将所述第一衬底和所述第二衬底进行粘合的密封材料;
隔着所述第一衬底对所述有机树脂层照射激光;以及
在照射所述激光的步骤之后,使滚筒在所述叠层物重复旋转,从所述叠层物剥离所述第一衬底。
8.一种显示装置的制造方法,该方法具有如下步骤:
准备叠层物,该叠层物具备第一衬底、位于所述第一衬底上的有机树脂层、位于所述有机树脂层上的晶体管、位于所述晶体管上的EL元件、位于所述EL元件上的第二衬底、位于所述第二衬底和所述EL元件之间的具有树脂材料的密封层、及围绕具有所述晶体管和所述EL元件的像素部以及所述密封层且将所述第一衬底和所述第二衬底进行粘合的密封材料;
隔着所述第一衬底对所述有机树脂层照射激光;以及
在照射所述激光的步骤之后,使滚筒在所述叠层物重复旋转,从所述叠层物剥离所述第一衬底。
9.根据权利要求5、权利要求6、权利要求7及权利要求8的任一项所述的显示装置的制造方法,其中,
在所述有机树脂层和所述晶体管之间设置具有叠层结构的绝缘层,所述绝缘层具有氧化硅、氧氮化硅、氮化硅、氮氧化硅中任一种。
10.根据权利要求1、权利要求2、权利要求5、权利要求6、权利要求7及权利要求8的任一项所述的显示装置的制造方法,其中,
所述有机树脂层具有聚酰亚胺树脂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





