[发明专利]一种分布式布拉格反射镜激光器在审
| 申请号： | 201811570399.1 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN111355124A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 李全杰;刘向英 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125;H01S5/34 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 赵双 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 分布式 布拉格 反射 激光器 | ||
1.一种分布式布拉格反射镜激光器，其特征在于，包括：
衬底层；
过渡层；设置于所述衬底层上，所述过渡层下表面的折射率与所述衬底层的折射率匹配；
第一分布式布拉格反射镜层，设置于所述过渡层上；所述第一分布式布拉格反射镜层由高折射率材料层和低折射率材料层交替重复构成，其中，所述述高折射率材料层和/或低折射率材料层为渐变折射率材料层；
n型Ge半导体层；设置于所述第一分布式布拉格反射镜层上；
n型Ge掺杂层，设置于所述n型Ge半导体层上；
量子阱发光层，设置于所述n型Ge掺杂层上；
电子阻挡层，设置于所述量子阱发光层上；
p型Ge掺杂层，设置于所述电子阻挡层上；
p型Ge半导体层，设置于所述p型Ge掺杂层上；
第二分布式布拉格反射镜层，设置于所述p型Ge半导体层上，所述第二分布式布拉格反射镜层由高折射率材料层和低折射率材料层交替重复构成，其中，所述述高折射率材料层和/或低折射率材料层为渐变折射率材料层。
2.根据权利要求1所述的分布式布拉格反射镜激光器，其特征在于，所述过渡层的厚度为100～800nm。
3.根据权利要求2所述的分布式布拉格反射镜激光器，其特征在于，所述过渡层为单层、双层或多层。
4.根据权利要求3所述的分布式布拉格反射镜激光器，其特征在于，所述过渡层由传统光学材料和/或渐变折射率材料组成。
5.根据权利要求4所述的分布式布拉格反射镜激光器，其特征在于，所述高折射率材料层的折射率大于2，所述低折射率材料的折射率小于1.5。
6.根据权利要求5所述的分布式布拉格反射镜激光器，其特征在于，所述高折射率材料层和低折射率材料层的单层厚度范围均为30～600nm。
7.根据权利要求6所述的分布式布拉格反射镜激光器，其特征在于，所述第一分布式布拉格反射镜中高折射率材料层和低折射率材料层对数为3对。
8.根据权利要求7所述的分布式布拉格反射镜激光器，其特征在于，所述第二分布式布拉格反射镜中高折射率材料层和低折射率材料层对数为6对。
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