[发明专利]一种双相硼钛复合层

权利要求书

1.一种双相硼钛复合层，其特征在于，以钛合金基体为基础，表层覆有一层预制层，所述预制层为可生长成TiB_X的复合层；所述双相硼钛复合层的厚度不小于2μm，生长方向为垂直于表面有序生长；

所述双相硼钛复合层采用如下方法制得：预先在钛合金基体表面沉积一层纯钛层，然后再经渗硼法，生长获得硼钛复合层；所述纯钛层的孔隙为3%~12%；

沉积所述纯钛层的方法为PVD法；所述PVD法具体为：氩气气氛中，在所述钛合金基体的表层，以钛靶电流从3~5A逐渐减少至0.15~0.5A，碳靶电流从0A逐渐增至0.2~0.6A，氩气流量在20~40sccm的条件，沉积2~6h，获得沉积了纯钛层的钛合金基体。

2.根据权利要求1所述的双相硼钛复合层，其特征在于，所述TiB_X为TiB和TiB₂。

3.根据权利要求1所述的双相硼钛复合层，其特征在于，所述钛合金基体预先进行深度清洁，所述深度清洁包括除油、表面打磨、超声清洁、等离子体清洗。

4.根据权利要求1所述的双相硼钛复合层，其特征在于，将渗硼剂填埋至沉积了纯钛层的钛合金基体的表面，然后置于900~990℃的温度下，保温2~20h。

5.根据权利要求4所述的双相硼钛复合层，其特征在于，所述渗硼剂为质量比（90~98）:（10~2）的供硼剂和催渗剂。

6.根据权利要求5所述的双相硼钛复合层，其特征在于，所述渗硼剂的粒度不大于50μm。

7.根据权利要求1所述的双相硼钛复合层，其特征在于，以钛合金基材为基础，表层覆有一层预制层，所述预制层为可生长成TiB_X的复合层；

所述双相硼钛复合层采用如下方式制得：

1）将钛合金基体进行深度清洁，所述深度清洁包括除油、表面打磨、超声清洁、等离子体清洗；

2）采用PVD法在所述钛合金基体上沉积一层纯钛层；

3）然后将渗硼剂填埋至沉积了纯钛层的钛合金基体的表面，然后置于900~990℃的温度下，保温2~20h，生长获得硼钛复合层。

8.权利要求1~7任一项所述的双相硼钛复合层在耐高温高速冲蚀材料上的应用。

9.权利要求1~7任一项所述的双相硼钛复合层在航空航天、武器装备、石油勘探材料上的应用。