[发明专利]光伏组件的抗衰减处理方法

说明书

本发明提供了一种光伏组件的抗衰减处理方法，包括在光伏组件的热处理过程中对该光伏组件通入电流或进行光照；将完成热处理过程的光伏组件进行降温，并在前述降温过程中保持对光伏组件通入电流或进行光照。本发明抗衰减处理方法在光伏组件的热处理过程及后续降温过程中均对光伏组件保持通入电流或进行光照，能够改善光伏组件的光致衰减现象，提高光伏组件转换效率，减小功率损失，适于量化生产；并对准确评估光伏组件的后续工作性能具有重要意义。

技术领域

本发明涉及光伏制造技术领域，特别涉及一种光伏组件的抗衰减处理方法。

背景技术

近些年，太阳能电池与光伏组件的开发及应用受到越来越多的关注，国内外投建与运营的光伏电站亦逐年增多。其中，晶体硅太阳能电池由于技术发展较为成熟，材料稳定，成本可控等诸多因素仍占据市场主流地位。

传统P型晶体硅太阳能电池光照条件下的输出功率会出现下降的现象，即光致衰减现象。现普遍认为，光致衰减现象主要缘于P型晶体硅太阳能电池中掺杂的硼与氧杂质反应生成硼氧复合中心，降低了少数载流子寿命，进而引起电池片及相应光伏组件的输出功率降低。另一方面，电池片经串焊、层压等制得光伏组件的过程中，由于B-O对、金属杂质、缺陷等的存在，在经历上述热处理过程(串焊～230℃、层压～140℃)时往往会造成电池片效率的下降，导致组件CTM降低，组件功率损失。

业内现已公开有对电池片或光伏组件进行光、电注入以改善光致衰减现象的方案，但要么在常温下通入电流或进行曝晒、光照，耗时较长，不适于产线量化生产；也有通过提高光伏组件温度，再通入电流或进行光照的方案，但未虑及光伏组件降温过程由于温度较高，又会出现效率衰减。

因此，有必要提供一种新的光伏组件的抗衰减处理方法。

发明内容

本发明目的在于提供一种光伏组件的抗衰减处理方法，能够改善光伏组件的光致衰减现象，提高光伏组件转换效率，减小功率损失，对准确评估光伏组件的后续工作性能具有重要意义。

为实现上述发明目的，本发明提供一种光伏组件的抗衰减处理方法，包括：在光伏组件的热处理过程中对该光伏组件通入电流或进行光照；

将完成热处理过程的光伏组件进行降温，并在前述降温过程中保持对光伏组件通入电流或进行光照。

作为本发明的进一步改进，所述热处理过程的温度介于130～240℃。

作为本发明的进一步改进，所述热处理过程包括光伏组件的层压过程，所述抗衰减处理方法包括在光伏组件层压过程中保持通入电流，且电流强度设置为3～11安培。

作为本发明的进一步改进，所述层压过程包括第一层压阶段与第二层压阶段，其中，第一层压阶段的温度设置为170～200℃，时间3～30min；第二层压阶段的温度设置为130～170℃，时间5～120min。

作为本发明的进一步改进，所述热处理过程包括将光伏组件的温度升高至170～200℃，并对该光伏组件通入电流，电流强度设置为3～11安培，时间8～120min。。

作为本发明的进一步改进，所述热处理过程包括至少两个保温阶段，至少两个所述保温阶段的温度呈逐级下降梯度设置，且至少两个所述保温阶段均保持对光伏组件通入电流。

作为本发明的进一步改进，所述热处理过程包括将光伏组件的温度升高至170～200℃，维持时间3～30min；再将光伏组件温度调整至130～170℃，时间5～120min，上述热处理过程保持对光伏组件通入3～11安培的电流。

作为本发明的进一步改进，所述热处理过程包括将光伏组件的温度升高至190～240℃，并对光伏组件进行光照，光强设置为3～80suns，时间2s～10min。

作为本发明的进一步改进，所述降温过程中对光伏组件保持光照，光强设置为0.5～20suns。