[发明专利]多节电池管理保护芯片和多节电池管理保护系统在审
| 申请号： | 201811568699.6 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109450045A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 吴文贡;丁西仑;卢世勇 | 申请（专利权）人： | 厦门奇力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00 |
| 代理公司： | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人： | 吴圳添 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多节电池 管理保护芯片 输出引脚 充电 驱动 控制输入端 适配器识别 输出使能端 状态输出端 管理保护 寄存器 检测端 放电驱动 接地引脚 检测 | ||
1.一种多节电池管理保护芯片，包括：
接地引脚、充电驱动输出使能端、充电驱动输出引脚、放电驱动输出引脚和寄存器；
其特征在于，还包括：
适配器识别单元，所述适配器识别单元包括控制输入端、检测端和状态输出端；
所述控制输入端连接所述充电驱动输出使能端；所述检测端连接所述充电驱动输出引脚；所述状态输出端连接所述寄存器。
2.如权利要求1所述的多节电池管理保护芯片，其特征在于，所述适配器识别单元还包括高压电源输入端、低压电源输入端和偏置电压输入端。
3.如权利要求2所述的多节电池管理保护芯片，其特征在于，所述适配器识别单元还包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一恒流电源和滞回比较单元；
所述第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管均为增强型MOS管；
所述第一PMOS管的栅极作为所述控制输入端；
所述第一PMOS管的源极连接所述高压电源输入端；
所述第一PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的源极；
所述第一NMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的源极；
所述第一NMOS管的漏极连接所述第二PMSO管的源极；
所述第二PMSO管的漏极作为所述检测端；
所述第一恒流电源的正极端连接所述低压电源输入端；
所述第一恒流电源的负极端连接所述第二NMOS管的源极；
所述第二NMOS管的栅极连接所述低压电源输入端；
所述第二NMOS管的漏极连接所述第二PMSO管的源极；
所述滞回比较单元的输入端连接所述第一恒流电源的负极端；
所述滞回比较单元的输出端作为所述状态输出端。
4.如权利要求3所述的多节电池管理保护芯片，其特征在于，所述第二PMSO管的栅极和源极之间连接电压钳位单元。
5.如权利要求4所述的多节电池管理保护芯片，其特征在于，所述电压钳位单元包括第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管和第二恒流电源；
所述第三PMOS管、第四PMOS管和第三NMOS管均为增强型；
所述第三PMOS管的源极连接所述第二PMOS管的源极；
所述第三PMOS管的漏极连接栅极，并连接所述第四PMOS管的源极；
所述第四PMOS管的漏极连接栅极，并连接所述第二PMOS管的栅极；
所述第三NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的栅极；
所述第三NMOS管的栅极连接所述偏置电压输入端；
所述第二恒流电源的正极端连接所述第三NMOS管的源极；
所述第二恒流电源的负极端接地。
6.如权利要求4所述的多节电池管理保护芯片，其特征在于，所述电压钳位单元包括第一二极管、第二二极管、第三NMOS管和第二恒流电源；
所述第三NMOS管为增强型；
所述第一二极管的正极连接所述第二PMOS管的源极；
所述第一二极管的负极连接所述第二二极管的正极；
所述第二二极管的负极连接所述第二PMOS管的栅极；
所述第三NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的栅极；
所述第三NMOS管的栅极连接所述偏置电压输入端；
所述第二恒流电源的正极端连接所述第三NMOS管的源极；
所述第二恒流电源的负极端接地。
7.如权利要求3所述的多节电池管理保护芯片，其特征在于，所述滞回比较单元为施密特触发器。
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