[发明专利]有机电致发光材料及其应用

说明书

本发明提供了一种有机电致发光材料及其应用。本发明的有机电致发光材料含有吡嗪和氰基，具有化学式(I)结构。使用本发明中的化合物掺杂制备有机电致发光器件能够显著提高功率效率，并且可以降低启亮电压。

技术领域

本发明涉及有机电致发光材料领域，具体涉及一种含有吡嗪和氰基的电致发光材料及其应用。

背景技术

近年来，有机发光二极管(OLED)作为一种有巨大应用前景的照明、显示技术，受到了学术界与产业界的广泛关注。OLED器件具有自发光、广视角、反应时间短及可制备柔性器件等特性，成为下一代显示、照明技术的有力竞争者。但目前OLED仍然存在效率低、寿命短等问题，有待人们进一步研究。

自1998年Forrest等人报道电致磷光器件(PHOLED)以来，有机电致发光器件已经实现了在产业上的应用。其优势在于突破了有机电致发光量子效率小于25％的限制，将量子产率提升至了100％。高效PHOLED器件通常为多层结构，包括阴极、阳极和有机层，所述有机层为空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子注入层、电子传输层中的一层或多层，这些有机层不必每层都存在，可根据实际情况增加或减少部分有机层。其优点在于可以方便地调节载流子注入、传输及复合等过程，以提高载流子传输和复合效率。

有机电致发光器件性能优化的一个重要方面在于调节相邻有机功能层之间的电荷注入，来促进激子的形成，从而提高发光效率。TCNQF4常被用作空穴注入层，可有效地促进空穴的注入，降低驱动电压。但由于其分子量较小，具有很好的挥发性，导致在蒸镀过程中容易污染蒸镀仪和器件。

发明内容

本发明目的在于提供一种含有吡嗪和氰基的有机电致发光材料，该类材料可以有效地降低器件电压，同时提升效率。

有机电致发光材料，为具有式(I)结构的化合物：

其中：

B选自O、S、NR¹，R¹选自C1-C6的烷基、C3-C40的杂芳基、C6-C40的芳香基；

X₁-X₄独立地选自N、CR²，R²选自氢、氘、C1-C6的烷基、C3-C40的杂芳基、C6-C40的芳香基。

优选地，B选自O、S、NR¹，R¹选自C1-C6的烷基、C3-C9的杂芳基、C6-C14的芳香基；

X₁-X₄独立地选自N、CR²，R²选自氢、氘、C1-C6的烷基、C3-C9的杂芳基、C6-C14的芳香基。

优选地，B选自O、S、NR¹，R¹选自甲基、苯基、甲苯基、萘基、吡啶基；

X₁-X₄独立地选自N、CH。

更优选地，B选自O、S、NR¹，R¹选自甲基、苯基、吡啶基；

X₁-X₄独立地选自N、C H。

更优选地，B选自O、S、NR¹，R¹选自甲基、苯基、吡啶基；

X1-X4中有0-2个为N，其余为C H。

进一步优选，本发明的式(I)所述的发光材料为如下1-18化合物，但不限于所列举的结构：