[发明专利]一种光电器件以及电子装置有效
申请号: | 201811566104.3 | 申请日: | 2018-12-20 |
公开(公告)号: | CN109742095B | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
发明(设计)人: | 陈超 | 申请(专利权)人: | 纳晶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148 |
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地址: | 310052 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光电 器件 以及 电子 装置 | ||
本发明公开了一种光电器件以及应用该光电器件的电子装置。该光电器件包括感光元件、绝缘层以及量子点阵列层。量子点阵列层用于将入射光处理为包含不同光信息的多路光线,感光元件用于将光信息转换为电信号,绝缘层设置在感光元件与量子点阵列层之间,用于避免量子点阵列层影响感光元件的电性能。本发明将量子点阵列层直接设置在绝缘层的表面,从而不同量子点单元射出的光不容易发生混光,有利于提高光电器件的灵敏度以及应用该光电器件的电子设备的测量准确性。
技术领域
本发明涉及光电技术领域,尤其涉及一种光电器件以及应用该光电器件的电子装置。
背景技术
光谱仪器是用来研究和分析物质的光谱的装置,光谱技术利用光线在被测试样内部的吸收、反射以及散射等特征来实现对样品参数的检测。利用光谱仪对光进行测量的两个关键步骤分别为(1)对光线进行分解,将其分解为不同波段的光线;(2)将光信息转变为电信号。
目前,普遍采用光栅对光线进行分解,使不同波长的光在空间上相互分离,然后照射到不同空间位置的光电响应结构上,实现光信息到电信号的转变。
最近,科学家提出了一种量子点光谱仪,通过调节量子点的组分或者尺寸,可以在很高的精度上调节量子点对光的吸收能力,因此可利用不同量子点对光的选择性吸收实现对光线的分解。在电荷耦合器(CCD)的像素阵列前设置薄膜,该薄膜包括不同量子点结构组成的点阵,单个点阵上“点”对应CCD上的一个或多个像素点,透过不同“点”的光存在差异,利用CCD对接收的光信息重构后,通过数据采集及处理后,即可得到所测光线的光谱。
但是,由于量子点阵列薄膜与CCD相互分离,经过量子点阵列过滤后的光线需要通过一定距离之后才能抵达CCD,期间有概率发生因散射引起的混光,导致光谱仪测量精度下降。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种光电器件,其包括用于分解光线的多个量子点单元,经过不同量子点单元的光发生混光的可能性小。
本发明的另一个目的在于提供一种应用上述光电器件的电子装置。
本发明的目的之一采用如下技术方案实现:
一种光电器件,包括感光元件,所述感光元件包括多个像素单元,每一所述像素单元具有一进光面,到达所述进光面的光线经过所述像素单元发生光电转换,所述光电器件还包括绝缘层以及量子点阵列层,所述绝缘层覆盖各所述像素单元的进光面,所述绝缘层允许光线透过,所述量子点阵列层包括多个相互分离的量子点单元,各所述量子点单元设于所述绝缘层表面,每一所述量子点单元与至少一所述像素单元的进光面相对,各所述量子点单元适于吸收特定波长的光。
进一步地,所述量子点阵列层还包括设于相邻所述量子点单元之间的隔离结构,所述隔离结构将各所述量子点单元分隔。
进一步地,所述隔离结构的透光率小于10%,优选地,所述隔离结构不透光,更优选地,所述隔离结构反光。
进一步地,所述量子点阵列层还包括设于所述量子点单元上的封装层,所述封装层将所述量子点单元封装在所述隔离结构形成的容纳腔内,所述封装层允许光线透过。
进一步地,所述封装层包括一层或多层,所述封装层的材料为有机封装材料、无机封装材料中的一种或组合。
根据一个优选实施方式,所述量子点单元由量子点墨水固化形成,所述量子点墨水包括树脂分散体以及分散在所述树脂分散体中的所述量子点,所述量子点墨水中量子点的质量分数为1%~90%。
根据另一个优选实施方法,所述量子点单元包括液态的分散介质以及分散在所述分散介质中的量子点。
根据一个优选实施例,所述像素单元包括依次设置的第一电极、P区、I区、N区以及第二电极,所述第一电极在与所述P区对应的位置形成一所述进光面或者所述第二电极在于所述N区对应的位置形成一所述进光面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的