[发明专利]微型发光二极管巨量转移的方法及其发光面板组件

权利要求书

1.一种微型发光二极管巨量转移的方法，包含：

一微型发光二极管制作步骤，形成复数个微型发光二极管于一晶圆基板上，其中各该微型发光二极管包含一第一电极及一第二电极；

一连接步骤，将包含该复数个微型发光二极管的该晶圆基板与一电路载板连接，该电路载板上包含复数个第一电性连接部及复数个第二电性连接部，该复数个第一电性连接部分别与该复数个微型发光二极管之该第一电极连接，该复数个第二电性连接部分别与该复数个微型发光二极管之该第二电极连接；

一移除步骤，移除该晶圆基板；

一荧光粉层形成步骤，在该复数个微型发光二极管的表面形成一荧光粉层；以及

一滤光片形成步骤，贴附复数个滤光片于该荧光粉层上，各该滤光片对应于各该微型发光二极管的一出光面。

2.如权利要求1所述之微型发光二极管巨量转移的方法，其中该微型发光二极管制作步骤包含：

一掺杂半导体层形成步骤，在该晶圆基板上依序形成一第一型掺杂半导体材料层及一第二型掺杂半导体材料层；

一图案化步骤，将该第一型掺杂半导体材料层及该第二型掺杂半导体材料层图案化，形成复数个半导体图案，在各该半导体图案中具有一第一掺杂层及一第二掺杂层，该第二掺杂层的长度小于该第一掺杂层的长度；

一绝缘层形成步骤，形成一绝缘层于该第一掺杂层及该第二掺杂层之上，该绝缘层包含一第一穿孔及一第二穿孔，该第一穿孔及该第二穿孔分别曝露出该第一掺杂层及该第二掺杂层的一部分；以及

一电极形成步骤，形成该第一电极及该第二电极于该绝缘层上，该第一电极的一部分填入该第一穿孔中并与该第一掺杂层连接，该第二电极的一部分填入该第二穿孔中并与该第二掺杂层连接，该第一电极及该第二电极藉由该绝缘层彼此分隔。

3.如权利要求2所述之微型发光二极管巨量转移的方法，其中该第一电极更遮蔽该第一掺杂层的一第一侧表面；该第二电极更遮蔽该第一掺杂层及该第二掺杂层的一第二侧表面，该第二侧表面相对于该第一侧表面。

4.如权利要求2所述之微型发光二极管巨量转移的方法，其中该出光面为该第一掺杂层设置于该晶圆基板的表面，各该微型发光二极管的该出光面实质上位于同一平面。

5.如权利要求1所述之微型发光二极管巨量转移的方法，其中该电路载板为一特用芯片。

6.如权利要求1所述之微型发光二极管巨量转移的方法，更包含一芯片连接步骤，该芯片连接步骤系将该电路载板的一接线区与一特用芯片连接。

7.一种发光面板组件，包含：

一电路载板，包含复数个第一电性连接部及复数个第二电性连接部；

复数个微型发光二极管，各该微型发光二极管包含一第一掺杂层、一第二掺杂层、一第一电极及一第二电极，其中该第一掺杂层与该第二掺杂层相互堆栈，该第一掺杂层的一第一表面为一出光面，且该第一掺杂层的长度大于该第二掺杂层的长度，该第一电极与该第二电极彼此分隔，各该第一电极与该第一掺杂层的一连接面以及该复数个第一电性连接部之一连接，各该第二电极与该第二掺杂层及该复数个第二电性连接部之一连接，其中该连接面相对于该出光面，其中该复数个微型发光二极管的该出光面实质上位于同一平面；

一荧光粉层，位于该复数个微型发光二极管之该出光面之上；以及

复数个滤光片，设置于该荧光粉层上，各该滤光片对应于各该微型发光二极管的该出光面。

8.如权利要求7所述之发光面板组件，其中该第一电极与该第二电极之间以一绝缘层相互隔绝。

9.如权利要求8所述之发光面板组件，其中该第一电极更遮蔽该第一掺杂层的一第一侧表面；该第二电极更遮蔽该第一掺杂层及该第二掺杂层的一第二侧表面，该第一侧表面相对于该第一侧表面。

10.如权利要求7所述之发光面板组件，其中该电路载板为一特用芯片。