[发明专利]一种材料电磁参数测量方法

权利要求书

1.一种材料电磁参数测量方法，其步骤包括：

1)对非标测试夹具的非标转接头1和非标转接头2进行T状态、R状态以及L状态下的测试，并将该三种状态下的测试数据导入夹具校准模块中；其中，T状态为直连状态、R状态为反射状态、L状态为延长线状态；所述非标测试夹具包括用于放置材料样品的样品放置单元，非标转接头1和非标转接头2；样品放置单元位于非标转接头1与非标转接头2之间；所述非标转接头1的内侧端口、非标转接头2的内侧端口与该样品放置单元连接，所述非标转接头1的外侧端口、非标转接头2的外侧端口作为测试端面，用于输出测试数据；所述样品放置单元包括由放样内导体与放样外导体构成的同轴线，所述同轴线与所述非标转接头1、非标转接头2电连接；

2)夹具校准模块根据所述测试数据计算出非标转接头1和非标转接头2的S参数，即[S]_connector1和[S]_connector2；

3)将待测样品放入并固定在该非标测试夹具的同轴线上进行测试，并将得到的S参数[S]_measure导入夹具校准模块中；

4)夹具校准模块根据[S]_connector1、[S]_connector2，消除[S]_measure数据中包含非标转接头1和非标转接头2的S参数信息，得到计算该待测样品的电磁参数所需的核心数据[S]_dut；其中，所述夹具校准模块计算得到核心数据[S]_dut的方法为：首先将S参数[S]_measure、[S]_connector1和[S]_connector2转换为相应的传输矩阵[T]_measure、[T]_connector1和[T]_connector2；然后利用公式[T]_dut＝[T]_connector1^-1*[T]_measure^-1*[T]_connector2^-1计算出传输矩阵[T]_dut；然后将传输矩阵[T]_dut转换为S参数，即得到了核心数据[S]_dut；

5)TR法求解模块根据[S]_dut计算出该待测样品的电磁参数，包括待测样品的相对介电常数ε_r和相对磁导率μ_r。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述同轴线通过法兰与所述非标转接头1的内侧端口、非标转接头2的内侧端口连接固定。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述放样外导体上设有若干定位螺孔，用于与定位螺丝配合将待测样品固定在所述放样外导体与所述放样内导体之间。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非标转接头1的内侧端口、非标转接头2的内侧端口分别为与所述同轴线匹配的同轴结构。

5.如权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述放样内导体的一端设有定位槽、另一端设有定位凸起，所述非标转接头1的内侧端口设有与所述定位凸起匹配的定位槽，所述非标转接头2的内侧端口设有与所述放样内导体的定位槽匹配的定位凸起。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述同轴线的特性阻抗为50欧姆。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非标转接头1的外侧端口、非标转接头2的外侧端口设有标准N型接口。