[发明专利]肖特基二极管、NIPT95合金及肖特基二极管的制造方法

说明书

本发明实施例提供的肖特基二极管、NIPT95合金及肖特基二极管的制造方法，涉及电子元器件技术领域。肖特基二极管包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，覆盖在所述衬底上；NIPT95合金，NIPT95合金渗入到第一导电类型的外延层中形成肖特基势垒层；导电层，覆盖在所述肖特基势垒层上。由于采用NIPT95合金渗入到第一导电类型的外延层中形成肖特基势垒层；相较于现有技术通过金属钛、金属镍、金属钼等金属与表面态良好的第一导电类型的外延层接触形成肖特基势垒层，本发明实施例提供的方案可以使形成的肖特基势垒层的反向漏电流小且离散较小，进而可以减少制造过程中的废片率。

技术领域

本发明涉及电子元器件技术领域，具体而言，涉及一种肖特基二极管、NIPT95合金及肖特基二极管的制造方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，功率器件作为一种新型的器件，被广泛的应用于各个领域。肖特基势垒二极管(SBD)一般是以金属为正极、以半导体为负极，进而在两者的接触面上形成势垒。但是现有技术中，肖特基势垒二极管反向漏电流大且较为离散，进而造成废片率较高。

发明内容

本发明实施例在于提供一种肖特基二极管、NIPT95合金及肖特基二极管的制造方法，其能够缓解上述问题。

为了缓解上述的问题；本发明实施例采取的技术方案如下：

第一方面，本发明实施例提供的一种肖特基二极管，其包括：

第一导电类型的衬底；

第一导电类型的外延层，覆盖在所述衬底上。

NIPT95合金，所述NIPT95合金渗入到所述第一导电类型的外延层中形成肖特基势垒层；

导电层，覆盖在所述肖特基势垒层上。

在本发明实施例中，将NIPT95合金渗入到第一导电类型的外延层中，可以使NIPT95合金与第一导电类型的外延层接触良好，进而使形成的肖特基势垒层更加稳定。且由于采用NIPT95合金作为势垒金属相较于现有技术使用金属钛、金属钼等作为势垒金属，本申请使用NIPT95合金具有较大的功函数，与第一导电类型的外延层能形成较高势垒，进而获得更小的反向漏电流。由于可以减少肖特基二极管的离散值和反向漏电流的值，进而可以减低肖特基二极管的废片率。

可选地，所述衬底为N型重掺杂半导体，所述外延层为N型轻掺杂半导体。

可选地，在所述肖特基势垒层的边缘设置有P型半导体。

在本发明实施例中，设置P型半导体可以增加肖特基二极管反向击穿电压，进而可以使肖特基二极管可以适用性更高。

可选地，所述肖特基势垒二极管还包括：氧化层，所述氧化层设置在所述外延层和所述导电层之间，并与所述肖特基势垒层的边缘接触。

在本发明实施例中，设置氧化层可以减少肖特基势垒层形成过程中的边缘特性，进而可以使形成的肖特基势垒层稳定性更高。

可选地，所述导电层包括：第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述第一导电层覆盖在所述肖特基势垒层上，所述第二导电层覆盖在所述第一导电层上，所述第三导电层设置在所述第二导电层之上。

在本发明实施例中，所述第二导电层用于将所述第一导电层和所述第三导电层焊接在一起，以使所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层成一整体。

可选地，所述第一导电层为钛，所述第二层导电层为镍，所述第三导电层为银。

第二方面，本发明实施例提供了一种NIPT95合金，应用于上述第一方面中所述的肖特基二极管，所述NIPT95合金包括95％的PT和5％的NI，所述NIPT95合金渗入所述肖特基二极管中的外延层形成肖特基势垒层。