[发明专利]去膜机载片台及硅片加工设备在审
| 申请号： | 201811560737.3 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN109449108A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 王强 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 许莉 |
| 地址： | 132013 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 升降机构 硅片 去膜 硅片加工设备 吸附机构 定位件 半导体材料加工设备 工作效率 滚轴 蓝膜 去除 吸附 穿过 | ||
1.一种去膜机载片台，其特征在于，包括吸附机构(1)、第一升降机构(2)、定位件(3)和第二升降机构(4)，所述吸附机构(1)与所述第一升降机构(2)连接，并在所述第一升降机构(2)的带动下吸附硅片，所述定位件(3)穿过所述第一升降机构(2)与所述第二升降机构(4)连接，并在所述第二升降机构(4)的带动下对所述硅片进行定位。
2.根据权利要求1所述的去膜机载片台，其特征在于，所述吸附机构(1)上设有到位传感器(5)，所述到位传感器(5)用于采集所述硅片的到位信息。
3.根据权利要求1所述的去膜机载片台，其特征在于，所述吸附机构(1)包括托盘(11)和真空泵，所述托盘(11)上具有多个与所述真空泵连通的气孔(111)，多个所述气孔(111)用于吸附所述托盘(11)。
4.根据权利要求3所述的去膜机载片台，其特征在于，所述托盘(11)用于吸附所述硅片的顶面上具有凹槽(112)，所述凹槽(112)与多个所述气孔(111)连通。
5.根据权利要求3所述的去膜机载片台，其特征在于，所述托盘(11)的侧壁具有用于容纳至少部分所述定位件(3)的容纳槽。
6.根据权利要求1所述的去膜机载片台，其特征在于，所述第一升降机构(2)包括第一升降气缸(21)和底板(22)，所述底板(22)一侧通过多个支撑杆与所述第一升降气缸(21)连接，另一侧与所述吸附机构(1)连接。
7.根据权利要求6所述的去膜机载片台，其特征在于，所述定位件(3)包括穿过所述底板(22)的第一定位杆(31)和第二定位杆(32)。
8.根据权利要求1所述的去膜机载片台，其特征在于，所述第二升降机构(4)包括第二升降气缸(41)和底座(42)，所述底座(42)分别与所述第二升降气缸(41)和所述定位件(3)连接。
9.根据权利要求1所述的去膜机载片台，其特征在于，还包括安装板(6)，所述第一升降机构(2)和所述第二升降机构(4)均设于所述安装板(6)上。
10.一种硅片加工设备，其特征在于，包括如权利要求1－9任一项所述的去膜机载片台。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
