[发明专利]一种光混频器相位误差的修正方法及结构在审
| 申请号： | 201811558866.9 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109445025A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 王磊;肖希;陈代高;张宇光;李淼峰;胡晓;冯朋;余少华 | 申请（专利权）人： | 武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 彭程程 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光混频器 相位误差 变化区 折射率 相位补偿 修正 调谐 光子集成器件 连接波导 相位变化 传统的 光波长 一次性 功耗 引入 制作 | ||
1.一种光混频器相位误差的修正方法，用于对光混频器(1)进行相位误差修正，其特征在于，包括步骤：
在光混频器(1)的至少一连接波导(3)上设置相位补偿区(4)；
改变所述相位补偿区(4)中部分初始区(5)的折射率，做为变化区(6)，所述变化区(6)的相位变化值φ满足
其中，λ为光波长，L为变化区(6)的长度，n2为变化区(6)的折射率，n1为初始区(5)的折射率。
2.如权利要求1所述的光混频器相位误差的修正结构，其特征在于：所述变化区(6)包括由下至上依次层叠的第二下包层(10)、第二相位波导(11)和第二上包层(12)。
3.如权利要求2所述的光混频器相位误差的修正方法，其特征在于：所述变化区(6)由部分初始区(5)通过激光工艺改变第二相位波导(11)得到。
4.如权利要求2所述的光混频器相位误差的修正方法，其特征在于：所述变化区(6)由部分初始区(5)通过质子交换工艺转化改变第二上包层(12)得到。
5.一种光混频器相位误差的修正结构，其特征在于，其包括：
光混频器(1)，其包括至少两个分束器(2)和连接所述分束器(2)的连接波导(3)；
相位补偿区(4)，其设置于至少一所述连接波导(3)上，所述相位补偿区(4)包括初始区(5)和变化区(6)，所述变化区(6)由部分初始区(5)改变折射率得到，且所述变化区(6)的相位变化值其中，λ为光波长，L为变化区(6)的长度，n2为变化区(6)的折射率，n1为初始区(5)的折射率。
6.如权利要求5所述的光混频器相位误差的修正结构，其特征在于：所述初始区(5)包括由下至上依次层叠的第一下包层(7)、第一相位波导(8)和第一上包层(9)，所述第一上包层(9)包覆所述第一相位波导(8)。
7.如权利要求6所述的光混频器相位误差的修正结构，其特征在于：所述第一相位波导(8)的折射率大于所述第一下包层(7)和第一上包层(9)的折射率。
8.如权利要求5所述的光混频器相位误差的修正结构，其特征在于：所述变化区(6)包括由下至上依次层叠的第二下包层(10)、第二相位波导(11)和第二上包层(12)。
9.如权利要求8所述的光混频器相位误差的修正结构，其特征在于：所述第二相位波导(11)为折射率变化波导。
10.如权利要求8所述的光混频器相位误差的修正结构，其特征在于：所述第二上包层(12)为折射率变化上包层。
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