[发明专利]一种纳米金刚石复合涂层刀具硅片制备方法在审
申请号: | 201811558521.3 | 申请日: | 2018-12-19 |
公开(公告)号: | CN109698116A | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 袁洋;殷世春 | 申请(专利权)人: | 江苏沃德赛模具科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 宜兴市天宇知识产权事务所(普通合伙) 32208 | 代理人: | 周舟 |
地址: | 214200 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刀具 纳米金刚石复合涂层 硅片 制备 氢气 放入 金刚石复合涂层 机械能 制备方法技术 刀具寿命 断裂韧性 反应气压 腐蚀液体 硅片表面 合成气体 化学处理 甲烷反应 氢原子 碳原子 微米级 甲烷 沉积 抗弯 气压 热丝 形核 加热 升高 室内 生长 激发 自由 | ||
1.一种纳米金刚石复合涂层刀具硅片制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1、将硬质合金材质的刀具放入腐蚀性的液体中进行化学处理,形成稳定的化学物质;
步骤2、将刀具放置于CVD设备反应室内,加热热丝功率,使刀具周围温度为1600℃;
步骤3、在CVD设备反应室内接入气体流量为100-200ml的氢气和50ml的甲烷混合气体,让CVD设备内反应气压为5.0-0.125KPa;
步骤4、经过15分钟形核与4小时的生长过程,在刀具表面沉积一层纳米金刚石薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种纳米金刚石复合涂层刀具硅片制备方法,其特征在于,所述步骤1中刀具放入腐蚀性的液体中进行化学处理具体为:
步骤1-1工作人员握住刀具的一端,将刀具覆膜部分的边缘用笔标注出来,便于作为参照;
步骤1-2将刀具覆膜部分放入腐蚀性的液体中,深度为标注位置。
3.根据权利要求1所述的一种纳米金刚石复合涂层刀具硅片制备方法,其特征在于,所述步骤2中启动加热热丝功率具体为:
步骤2-1将处理过的刀具放入CVD设备反应室中,
步骤2-2将加热温度设置至1600℃。
4.根据权利要求1所述的一种纳米金刚石复合涂层刀具硅片制备方法,其特征在于,所述步骤3中接入气体具体为:
步骤3-1将气体流量为100-200ml的氢气和50ml的甲烷进行混合;
步骤3-2将混合后的气体导入CVD设备反应室内;
步骤3-3通过控制气体的流量从而调节反应气压。
5.根据权利要求1所述的一种纳米金刚石复合涂层刀具硅片制备方法,其特征在于,所述步骤4中经过15分钟形核与4小时的生长过程具体为:
步骤4-1通过加热热丝激发气体反应,形成氢原子与碳原子;
步骤4-2通过反应气压升高,氢原子与碳原子平均自由移动,原子间的碰撞自由程度减少,形成纳米金刚石复合涂层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造