[发明专利]柔性OLED显示面板以及显示装置有效
| 申请号: | 201811557915.7 | 申请日: | 2018-12-19 | 
| 公开(公告)号: | CN109659347B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 | 
| 发明(设计)人: | 邬可荣 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;G09F9/30 | 
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 | 
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 柔性 oled 显示 面板 以及 显示装置 | ||
1.一种柔性OLED显示面板,其特征在于,包括:
柔性基板,所述柔性基板包括非弯折区和弯折区;
在所述非弯折区上设置有第一薄膜晶体管,以及在所述弯折区上设置有第二薄膜晶体管;
其中,所述第一薄膜晶体管为低温多晶硅晶体管,所述第二薄膜晶体管为有机薄膜晶体管,在所述非弯折区和所述弯折区上还设置有第三薄膜晶体管,且所述第三薄膜晶体管为有机薄膜晶体管,所述第三薄膜晶体管包括:层叠设置的第七绝缘层、第三栅极层、第八绝缘层、第四栅极层、第九绝缘层以及第二有机半导体层;其中,在所述第二有机半导体层上相对设置有第三源极以及第三漏极,所述第三源极以及所述第三漏极通过所述第二有机半导体层电性连接;
还包括层叠设置在所述第三源极和第三漏极上的有机平坦层、阳极、像素定义层以及间隙柱,所述有机平坦层覆盖所述第三源极和所述第三漏极。
2.根据权利要求1所述的柔性OLED显示面板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管包括:
多晶硅层,所述多晶硅层设置在所述柔性基板上;
层叠设置在所述多晶硅层上的第一绝缘层、第一栅极层、第二绝缘层以及第三绝缘层;
第一过孔和第二过孔,所述第一过孔和所述第二过孔均贯穿所述第一绝缘层、第一栅极层、第二绝缘层以及第三绝缘层,且所述第一过孔和第二过孔分别设置在所述多晶硅层的一侧;其中,在所述第一过孔中设置有第一源极,以及在所述第二过孔设置有第一漏极,所述第一源极以及第一漏极至少覆盖部分所述第三绝缘层。
3.根据权利要求1所述的柔性OLED显示面板,其特征在于,所述第二薄膜晶体管包括:
层叠设置的第四绝缘层、第五绝缘层、第二栅极层、第六绝缘层以及第一有机半导体层;其中,所述第六绝缘层覆盖所述第二栅极层以及所述第五绝缘层,在所述第一有机半导体层上相对设置有第二源极以及第二漏极,所述第二源极以及第二漏极通过所述第一有机半导体层电性连接。
4.根据权利要求1所述的柔性OLED显示面板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管的有源层与所述第二薄膜晶体管的有源层为不同层设置。
5.根据权利要求2所述的柔性OLED显示面板,其特征在于,所述第二薄膜晶体管包括:
层叠设置的第五绝缘层、第二栅极层、第六绝缘层以及第一有机半导体层;其中,所述第六绝缘层覆盖所述第二栅极层以及所述第五绝缘层,在所述第一有机半导体层上相对设置有第二源极以及第二漏极,所述第二源极以及第二漏极通过所述第一有机半导体层电性连接。
6.根据权利要求5所述的柔性OLED显示面板,其特征在于,所述第一栅极层与所述第二栅极层为不同层设置。
7.一种显示装置,其特征在于,包括柔性OLED显示面板;
所述柔性OLED显示面板包括:
柔性基板,所述柔性基板包括非弯折区和弯折区;
在所述非弯折区上设置有第一薄膜晶体管,以及在所述弯折区上设置有第二薄膜晶体管;
其中,所述第一薄膜晶体管为低温多晶硅晶体管,所述第二薄膜晶体管为有机薄膜晶体管,在所述非弯折区和所述弯折区上还设置有第三薄膜晶体管,且所述第三薄膜晶体管为有机薄膜晶体管,所述第三薄膜晶体管包括:层叠设置的第七绝缘层、第三栅极层、第八绝缘层、第四栅极层、第九绝缘层以及第二有机半导体层;其中,在所述第二有机半导体层上相对设置有第三源极以及第三漏极,所述第三源极以及所述第三漏极通过所述第二有机半导体层电性连接;
还包括层叠设置在所述第三源极和第三漏极上的有机平坦层、阳极、像素定义层以及间隙柱,所述有机平坦层覆盖所述第三源极和所述第三漏极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





