[发明专利]一种应用于5G毫米波基站的功率放大器在审
| 申请号： | 201811557134.8 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109660213A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 马彦彬;胡爱萍 | 申请（专利权）人： | 上海秦芯信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F1/34;H03F3/193;H03F3/21;H03F3/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率放大器 毫米波 基站 输出 集成电路技术 功率分配器 毫米波信号 电路结构 功率合成 功率输出 能量耦合 信号注入 耦合网络 耦合 应用 合成 | ||
1.一种应用于5G毫米波基站的功率放大器，用于将输入信号功率放大为输出信号，其特在于：所述功率放大器包括:
放大器，用于将输入信号放大；
能量耦合网络，用于将两个功率放大器的输出信号耦合为一个输出信号。
2.根据权利要求1所述的一种应用于5G毫米波基站的功率放大器，其特征在于：所述放大器包含四个放大器，每个放大器均将输入信号放大后输入两个能量耦合网络。
3.根据权利要求1所述的一种应用于5G毫米波基站的功率放大器，其特征在于：所述输入信号为差分信号。
4.根据权利要求1所述的一种应用于5G毫米波基站的功率放大器，其特征在于：所述能量耦合网络包含四个能量耦合网络，每个耦合网络将两个放大器的输出耦合为一个输出信号。
5.根据权利要求3所述的一种应用于5G毫米波基站的功率放大器，其特征在于：所述耦合放大器的输出信号耦合为一个最终输出信号。
6.根据权利要求1所述的一种应用于5G毫米波基站的功率放大器，其特征在于：所述放大器包括带正反馈的功率放大器及不带正反馈的功率放大器。
7.根据权利要求6所述的一种应用于5G毫米波基站的功率放大器，其特征在于：所述带正反馈的功率放大器包括第一晶体管及第二晶体管;所述第一晶体管与所述第二晶体管均为MOSFET;所述第一晶体管与所述第二晶体管栅极接差分输入信号，源极相连并接地。
8.根据权利要求6所述的一种应用于5G毫米波基站的功率放大器，其特征在于：所述带正反馈的功率放大器还包括第三晶体管及第四晶体管;所述第三晶体管与所述第四晶体管均为MOSFET;所述第三晶体管与所述第四晶体管为交叉耦合结构，两者的漏极与栅极交叉相连，漏极作为输出端，输出差分信号;所述第三晶体管源极与所述第一晶体管漏极相连，所述第四晶体管源极与所述第二晶体管漏极相连;电源电压通过电感加在所述第三晶体管与所述第四晶体管的漏极上。
9.根据权利要求6所述的一种应用于5G毫米波基站的功率放大器，其特征在于：所述不带正反馈的功率放大器包括第五晶体管、第六晶体管及第七晶体管;所述第五晶体管、所述第六晶体管与所述第七晶体管均为MOSFET;所述第五晶体管与所述第六晶体管栅极接差分输入信号，源极均与所述第七晶体管漏极相连，漏极作为输出端输出差分信号;电源电压通过电感加在所述第五晶体管与所述第六晶体管的漏极上;所述第七晶体管源极接地。
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