[发明专利]一种高纯金银钯铂合金键合引线及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811555563.1 申请日: 2018-12-18
公开(公告)号: CN109628790A 公开(公告)日: 2019-04-16
发明(设计)人: 田鹏;房跃波 申请(专利权)人: 山东赢耐鑫电子科技有限公司
主分类号: C22C5/06 分类号: C22C5/06;C22C1/02;C22F1/14;H01L23/49;H01L21/48
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 277500 山东省枣庄市滕州经济开发*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 键合引线 钯铂合金 高纯 制备 延展性 导电性 重量百分比 合金材料 合金键合 物理性能 键合力 结合力 热退火 拉伸
【说明书】:

发明公开了一种高纯金银钯铂合金键合引线,属于合金材料技术领域,为了解决现有键合引线延展性并不好,在加工过程中容易被破坏,造成材料的浪费的问题,包括以下按照重量百分比的原料:银91‑93%、金3.5‑5.5%、钯2‑3.6%、铂0.4‑1%,本发明还公开了所述高纯金银钯铂合金键合引线的制备方法,本发明制备的高纯金银钯铂合金键合引线结合力高,键合力强,通过铂的加入,使得合金键合引线的延展性得到提高,并且具有优异的导电性,而且通过热退火处理,能够进一步提高材料的拉伸强度、硬度等物理性能,具有广阔的市场前景。

技术领域

本发明涉及合金材料技术领域,具体是一种高纯金银钯铂合金键合引线及其制备方法。

背景技术

键合引线是实现芯片功能必不可少的材料,半导体集成电路制造完成后所得的芯片虽然已经具有特定的功能,但是要实现该功能,必须通过与外部电子元件的连接。而半导体集成电路芯片需要经过与封装体的键合工序,最终得到芯片封装,如此才能通过封装的引脚与外部电子元件连接。在芯片与封装体的键合工艺中,都通过键合线将芯片上的焊盘与封装体的引脚进行电连接。

键合引线需要良好的导电性能,现在的键合引线虽然导电性能优异,但是其延展性并不好,在加工过程中容易被破坏,造成材料的浪费。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高纯金银钯铂合金键合引线及其制备方法,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

一种高纯金银钯铂合金键合引线,包括以下按照重量百分比的原料:银91-93%、金3.5-5.5%、钯2-3.6%、铂0.4-1%。

作为本发明进一步的方案:包括以下按照重量百分比的原料:银91.5-92.5%、金4-5%、钯2.4-3.2%、铂0.5-0.9%。

作为本发明进一步的方案:包括以下按照重量百分比的原料:银92%、金4.5%、钯2.8%、铂0.7%。

作为本发明进一步的方案:所述银的纯度为5N,金的纯度为4N,钯的纯度为3N,铂的纯度为99.99%。

作为本发明进一步的方案:所述高纯金银钯铂键合引线的制备方法,步骤如下:

1)按配比称取各原料;

2)将金、钯以及四分之三的银在真空环境下进行合金处理;

3)将铂、剩余银通过真空熔铸设备进行二次熔炼,确保熔铸过程中,所有不同的金属可以进行匀化处理,然后制备成合金铸锭;

4)将步骤3)的合金铸锭精拔成8mm的合金杆;

5)对完成步骤4)的合金杆进行热退火;

6)对完成步骤5)的合金杆进行表面清洗,采用酸性溶液先对其进行一次清洗,然后采用去离子水进行二次清洗。

作为本发明进一步的方案:所述合金处理工艺如下:将银、金和钯经机械混合后放入高纯石墨坩埚中,在真空条件下使用感应电炉加热使其熔化。

作为本发明进一步的方案:所述热退火温度大约为450-500℃,时间大约为20-60min。

与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明制备的高纯金银钯铂合金键合引线结合力高,键合力强,通过铂的加入,使得合金键合引线的延展性得到提高,并且具有优异的导电性,而且通过热退火处理,能够进一步提高材料的拉伸强度,具有广阔的市场前景。

具体实施方式

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