[发明专利]全方位晶圆缺陷的获取方法

权利要求书

1.一种全方位晶圆缺陷的获取方法，是利用扫描电子显微镜SEM，针对晶圆的缺陷分析，其特征在于：所述的扫描电子显微镜SEM，其腔室内部安装有多个电子接收机，均匀分布在晶圆四周，以此来拍摄360度全景的晶圆缺陷照片。

2.如权利要求1所述的全方位晶圆缺陷的获取方法，其特征在于：所述的电子接收机，数量不少于8个，每隔45度或更小角度安装一个电子接收机，形成一个圆周排布。

3.如权利要求1所述的全方位晶圆缺陷的获取方法，其特征在于：所述的电子接收机，用于接收从晶圆四周发散出去的二次电子，电子接收机能更高效地利用二次电子、背散射电子和俄歇电子信号，使各种次级电子被充分利用。

4.如权利要求1所述的全方位晶圆缺陷的获取方法，其特征在于：所述的扫描电子显微镜SEM，在晶圆上方安装的多个电子接收机，能同时全部开启以拍摄晶圆的全景照片以分析缺陷，还能根据要求，通过开启或关闭某一角度的某一台或多台电子接收机来获取晶圆特定位置或角度的缺陷照片。

5.如权利要求1所述的全方位晶圆缺陷的获取方法，其特征在于：所述的扫描电子显微镜SEM，还包括设备顶部的电子枪，向其下方的主腔室发射电子束，经入射口探测器对电子束进行加速、聚焦后射向位于主腔室内下方的晶圆承台，同时，在腔室中，晶圆承台的上方，还具有外部探测器，以及电子接收机。

6.如权利要求5所述的全方位晶圆缺陷的获取方法，其特征在于：所述的电子枪发射的电子束流，轰击位于晶圆承台上的晶圆，使晶圆表面的电子逃逸出来形成二次电子。

7.如权利要求5所述的全方位晶圆缺陷的获取方法，其特征在于：所述的晶圆承台能承托着晶圆在水平面内沿X、Y轴运动，以使电子束轰击在晶圆上的不同位置，以形成不同位置的图像。

8.如权利要求6所述的全方位晶圆缺陷的获取方法，其特征在于：所述的二次电子被电子接收机接收，并被转换以形成晶圆表面的形貌图像，所述图像能用来进行缺陷分析。