[发明专利]显示面板及其显示屏在审
| 申请号: | 201811552452.5 | 申请日: | 2018-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN109659445A | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
| 发明(设计)人: | 冯校亮 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 绝缘层 区块 显示面板 通孔 第一金属层 透明电极层 开口 发光层 阴极层 显示屏 封装层 覆盖 | ||
1.一种显示面板,其特征在于:所述显示面板包含:
一第一封装层;
一第一缓冲层,形成于所述第一封装层上;
一有源层,形成于所述第一缓冲层上;
一第一绝缘层,覆盖所述有源层以及所述第一缓冲层;
一透明电极层,形成于所述第一绝缘层上,作为一阳极;
一第一金属层,包含一第一区块与一第二区块,其中所述第一区块形成在所述透明电极层上且具有一开口,以及所述第二区块形成在所述第一绝缘层上对应于所述有源层的位置处,作为一栅极;
一发光层,位于所述开口内;
一阴极层,通过所述开口与所述发光层连接;以及
一第二封装层,形成于所述阴极层上。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述有源层包含一n型多晶硅以及一p型多晶硅,所述n型多晶硅及所述p型多晶硅分别对应于所述第一通孔与所述第二通孔处。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于:所述n型多晶硅及所述p型多晶硅分别形成一源极及一漏极。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述第一封装层及所述第二封装层是一薄膜封装层。
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述显示面板还包含:
一第二绝缘层,覆盖所述第一区块、第二区块以及所述第一绝缘层,其中所述第二绝缘层与所述第一绝缘层于所述有源层上共同形成一第一通孔及一第二通孔,且所述第二绝缘层于所述第一金属层的所述第一区块上形成一第三通孔;
一第二金属层,形成在所述第二绝缘层上,通过所述第一通孔与所述第二通孔连接所述有源层,且通过所述第三通孔连接所述第一金属层的所述第一区块;以及
一像素层,覆盖所述第二绝缘层与所述第二金属层,通过所述开口连接所述阳极。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于:所述第二金属层包含数据线、一源极电极以及一漏极电极。
7.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述第一缓冲层与所述第一封装层之间另包含一氮化硅层。
8.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述显示面板另包含一第二缓冲层,形成于所述第二封装层上,以及一柔性透明层,形成于所述第二缓冲层上。
9.如权利要求8所述的显示面板,其特征在于:所述第一缓冲层及所述第二缓冲层的材料是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
10.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述发光层包括一空穴注入层、一空穴传输层、一电子阻挡层、一发光材料层、一空穴阻挡层、一电子传输层以及一电子注入层。
11.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述柔性透明层的材料是聚酰亚胺。
12.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述第二封装层是一多层结构,所述多层结构是由至少一氮化硅和至少一薄膜封装层彼此交叠所组成。
13.一种显示屏,其特征在于:所述显示屏包含如权利要求1所述的显示面板,其中所述发光层发射一光线,所述光线通过所述透明电极层出射。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





