[发明专利]一种选择最佳NAND Flash读操作电平的方法

权利要求书

1.一种选择最佳NAND Flash读操作电平的方法，其特征在于：包括以下步骤：S01）、对多个或者单个NAND Flash进行批量测试，得到PE、Retention Time、Read Disturb处于不同阶段时对应的最佳读电平的值，并进行记录，PE指NAND Flash块的磨损次数，RetentionTime指从数据写入NAND Flash开始，到第一次读取数据的时间长度，Read Disturb是指NAND Flash块的读操作次数；S02）、将批量测试得到的数据输入机器学习的线性回归模型，得出最佳读电平与PE、Retention Time、Read Disturb之间的线性函数；S03）、用户在对NAND Flash进行读操作之前，将当前PE、Retention Time、Read Disturb参数传入步骤S02得到的线性函数，从而得到当前最佳的读电平。

2.根据权利要求1所述的选择最佳NAND Flash读操作电平的方法，其特征在于：对多个或者单个NAND Flash进行批量测试的方法为：取同一批次的多块NAND Flash或者单块NANDFlash的多个block块作为样本，使多块NAND Flash或者单块NAND Flash样本下的多个block块处于不同的PE、Retention Time、Read Disturb的状态下，依次遍历所有可取的读电平，分别找到PE、Retention Time、Read Disturb处于不同阶段时对应的最佳读电平的值。

3.根据权利要求2所述的选择最佳NAND Flash读操作电平的方法，其特征在于：利用NAND Flash厂商提供的命令依次遍历所有可取的读电平。

4.根据权利要求1所述的选择最佳NAND Flash读操作电平的方法，其特征在于：出错率最低的读电平为最佳读电平。

5.根据权利要求2所述的选择最佳NAND Flash读操作电平的方法，其特征在于：对单块NAND Flash样本或者单块NAND Flash下的某个block块样本进行测试的步骤为：S11）、对NAND Flash执行x次磨损；S12）、向NAND Flash写入数据；S13）、将NAND Flash在某一温度下放置 Y小时；S14）、对NAND Flash执行Z次块读取；S15）、依次调节读电平，读取NAND Flash数据，选择出错率最低的读电平。

6.根据权利要求5所述的选择最佳NAND Flash读操作电平的方法，其特征在于：不同NAND Flash样本执行步骤S13时，将Retention Time换算到同一温度下比较。

7.根据权利要求5所述的选择最佳NAND Flash读操作电平的方法，其特征在于：X≤10000，Y≤3个月，Z≤1000000。