[发明专利]基片传输方法、控制模块和基片传输系统有效
申请号: | 201811550042.7 | 申请日: | 2018-12-18 |
公开(公告)号: | CN111341709B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 王凯;张云鹏;慕晓航 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;姜春咸 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传输 方法 控制 模块 系统 | ||
1.一种基片传输方法,用于依次传输多个容纳有基片的基片箱,其特征在于,所述基片传输方法包括:
以第一传输速度依次将前M个容纳有待处理基片的基片箱从承载架传递至预备区域;
以第二传输速度依次将其余容纳有待处理基片的基片箱从所述承载架传递至所述预备区域;
其中,在传递过程中,一旦容纳有待处理基片的基片箱被传递至所述预备区域,将所述预备区域中的该容纳有待处理基片的基片箱中的待处理基片传输至石英舟进行处理,并将已处理基片放入所述预备区域中的空基片箱中;
以第三传输速度依次将所述预备区域中的第1个容纳有已处理基片的基片箱至第L-N个容纳有已处理基片的基片箱传送至所述承载架;
以第四传输速度依次将所述预备区域中的后N个容纳有已处理基片的基片箱传送至所述承载架,其中,
所述第一传输速度大于所述第二传输速度;和/或,所述第四传输速度大于所述第三传输速度;M和N均为正整数,且M<L,N<L,L为基片箱的总数。
2.根据权利要求1所述的基片传输方法,其特征在于,利用基片箱传输模块传输所述基片箱时:
所述第一传输速度为所述基片箱传输模块最大传输速度的50%至80%;所述第二传输速度为所述基片箱传输模块最大传输速度的40%至50%;所述第四传输速度为所述基片箱传输模块的最大传输速度的50%至80%;所述第三传输速度为所述基片箱传输模块的最大传输速度的40%至50%。
3.根据权利要求1或2所述的基片传输方法,其特征在于,将所述待处理基片传输至所述石英舟进行处理的步骤具体包括:依次进行的多个加速传输子阶段、平稳传输子阶段和多个减速传输子阶段,其中,
在所述多个加速传输子阶段中,第一个加速传输子阶段的加速度最小;
在所述多个减速传输子阶段中,最后一个减速传输子阶段的加速度最大。
4.根据权利要求3所述的基片传输方法,其特征在于,利用基片机械手传输所述基片,在传输所述基片的过程中,检测所述基片在所述基片机械手上的位移,当当前基片在所述基片机械手上的位移超过预设阈值时,降低传输下一片基片时加速传输子阶段的加速度。
5.一种用于基片传输装置的控制模块,所述基片传输装置包括基片箱传输模块和基片传输模块,所述控制模块用于控制基片传输装置依次传输多个容纳有基片的基片箱,其特征在于,所述控制模块包括基片箱传输控制单元和基片传输控制单元,
所述基片箱传输控制单元用于控制所述基片箱传输模块以第一传输速度依次将前M个容纳有待处理基片的基片箱从承载架传递至预备区域、以第二传输速度依次将其余容纳有待处理基片的基片箱从所述承载架传递至所述预备区域、以第三传输速度依次将所述预备区域中的第1个容纳有已处理基片的基片箱至第L-N个容纳有已处理基片的基片箱传送至所述承载架、以第四传输速度依次将所述预备区域中的后N个容纳有已处理基片的基片箱传送至所述承载架;
所述基片传输控制单元用于控制基片传输模块将预备区中的容纳有待处理基片的基片箱中的待处理基片传输至石英舟进行处理,并控制所述基片传输模块将已处理基片放入所述预备区域中的空基片箱中;
其中,所述第一传输速度大于所述第二传输速度;和/或,所述第四传输速度大于所述第三传输速度;M和N均为正整数,且M<L,N<L,L为基片箱的总数。
6.根据权利要求5所述的控制模块,其特征在于,所述第一传输速度为所述基片箱传输模块的最大传输速度的50%至80%;所述第二传输速度为所述基片箱传输模块的最大传输速度的40%至50%;
所述第四传输速度为所述基片箱传输模块的最大传输速度的50%至80%;所述第三传输速度为所述基片箱传输模块的最大传输速度的40%至50%。
7.根据权利要求6所述的控制模块,其特征在于,所述基片传输控制单元用于控制所述基片传输模块在传送每片基片时按照依次进行的多个加速传输子阶段、平稳传输子阶段和多个减速传输子阶段进行传输,其中,
在所述多个加速传输子阶段中,第一个加速传输子阶段的加速度最小;
在所述多个减速传输子阶段中,最后一个减速传输子阶段的加速度最大。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造