[发明专利]半导体器件和方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一器件，包括：

集成电路器件，具有第一连接件；

第一光敏粘合层，位于所述集成电路器件上；以及

第一导电层，位于所述第一连接件上，所述第一光敏粘合层围绕所述第一导电层；

第二器件，包括：

内插器，具有第二连接件，其中，所述第二连接件具有开口；

第二光敏粘合层，位于所述内插器上，所述第二光敏粘合层物理连接至所述第一光敏粘合层；以及

第二导电层，位于所述第二连接件的所述开口的侧壁和底面上，所述第二光敏粘合层围绕所述第二导电层；以及

导电连接件，接合所述第一导电层和所述第二导电层，通过气隙围绕所述导电连接件，其中，所述导电连接件的部分位于所述开口内。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电层的第一宽度小于所述第二导电层的第二宽度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述导电连接件具有与第一集成电路器件相邻的第一部分和与第二集成电路器件相邻的第二部分，所述第一部分具有第一宽度，所述第二部分具有大于所述第一宽度的第二宽度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述气隙将所述导电连接件的第二部分与所述第一光敏粘合层分离。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述第一连接件和所述第一导电层之间或所述第一导电层和所述导电连接件之间不形成晶种层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一晶种层，形成在所述第一连接件和所述第一导电层之间，其中，在所述第一导电层和所述导电连接件之间不形成晶种层。

7.一种形成半导体器件的方法，包括：

在第一光敏粘合层中形成第一开口，所述第一光敏粘合层与第一集成电路器件的第一侧相邻；沿着所述第一光敏粘合层形成第一光刻胶，其中，所述第一光刻胶的部分形成在所述第一开口中；

图案化所述第一光刻胶以在所述第一光刻胶中形成第二开口，其中，所述第二开口在所述第一开口内；

在所述第二开口中镀第一可回流层，其中，所述第一可回流层的顶面在所述第一光敏粘合层的顶面上方；

在第二集成电路器件的第一侧上形成图案化的第二光刻胶，其中，图案化的所述第二光刻胶具有第三开口以暴露所述第二集成电路器件的连接件；

根据所述第三开口，图案化所述连接件以在所述连接件中形成凹槽；

在所述凹槽的侧壁和底面上方镀第二可回流层；

在所述连接件的上方形成图案化的第二光敏粘合层，其中，图案化的所述第二光敏粘合层暴露所述凹槽；

将所述第一光敏粘合层和所述第二光敏粘合层压在一起，从而物理连接所述第一集成电路器件和所述第二集成电路器件；以及

回流所述第一可回流层和所述第二可回流层，从而形成电连接所述第一集成电路器件和所述第二集成电路器件的导电连接件，其中，所述导电连接件的部分位于所述凹槽内。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

用模塑料密封所述第一集成电路器件，所述模塑料与所述第二集成电路器件的第一侧相邻；

分割所述第一集成电路器件；

形成与所述第二集成电路器件的第二侧相邻的再分布结构；以及

在所述再分布结构上形成导电球。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

使用所述导电球将所述第二集成电路器件接合至封装衬底。

10.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在第三光敏粘合层中形成第四开口，所述第三光敏粘合层与所述第一集成电路器件的第二侧相邻；

在所述第四开口中镀第三可回流层；

使用所述第三光敏粘合层和所述第三可回流层将第三集成电路器件物理连接至所述第一集成电路器件。