[发明专利]金属线及阵列基板的制作方法、阵列基板有效
| 申请号： | 201811543845.X | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109616442B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 刘宁 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L27/12;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属线 阵列 制作方法 | ||
1.一种金属线的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成金属层；
在所述金属层上形成光阻图案，所述光阻图案包括第一光阻图案和位于所述第一光阻图案上的第二光阻图案，所述第一光阻图案在所述金属层上的正投影位于所述第二光阻图案在所述金属层上的正投影内；所述第一光阻图案的材料与所述第二光阻图案的材料不同；
对所述金属层进行构图工艺，以形成中间金属线；
将所述第二光阻图案从所述第一光阻图案上剥离下来；
对所述中间金属线进行构图工艺，以形成金属线。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述金属层进行构图工艺，以形成中间金属线，包括：
采用湿法刻蚀工艺对所述金属层进行刻蚀，以形成中间金属线。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述中间金属线进行构图工艺，以形成金属线，包括：
采用湿法刻蚀工艺对所述中间金属线进行刻蚀，以形成金属线。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述金属层上形成光阻图案，包括：
在所述金属层上涂覆第一光刻胶；
对所述第一光刻胶进行光刻工艺，以形成第一光阻图案；
在所述金属层及所述第一光阻图案上涂覆第二光刻胶；
对所述第二光刻胶进行光刻工艺，以形成所述第二光阻图案。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
所述第二光阻图案包覆在所述第一光阻图案上。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
所述第二光阻图案的中心在所述金属层上的正投影与所述第一光阻图案的中心在所述金属层上的正投影相重合。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，将所述第二光阻图案从所述第一光阻图案上剥离下来，包括：
采用剥离液将所述第二光阻图案从所述第一光阻图案上剥离下来。
8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括权利要求1至7中任一项所述的金属线的制作方法。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司，未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
