[发明专利]深紫外发光装置有效

专利信息
申请号: 201811543827.1 申请日: 2018-12-17
公开(公告)号: CN109786535B 公开(公告)日: 2020-06-26
发明(设计)人: 蔡济隆;陈磊;李超;冉崇高 申请(专利权)人: 旭宇光电(深圳)股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/62
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 方良
地址: 518000 广东省深圳市宝安区西*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 深紫 发光 装置
【说明书】:

发明属于特殊照明技术领域,具体涉及一种深紫外发光装置。一种深紫外发光装置,包括基板、深紫外LED芯片和透镜;所述基板表面设置有凹槽和位于所述凹槽顶端周围的卡槽,所述深紫外LED芯片通过第一金属混合物固定于所述凹槽内,且所述深紫外LED芯片通过金线电性连接所述凹槽底面;所述透镜覆盖所述凹槽,且所述透镜的四周边缘通过第二金属混合物固定于所述卡槽内。该深紫外发光装置可以有效提高器件的光提取效率,还可以延长器件的使用寿命。

技术领域

本发明属于特殊照明技术领域,具体涉及一种深紫外发光装置。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是半导体二极管的一种,可以把电能转化成光能。紫外LED一般指发光中心波长在400nm以下(如10-400nm)的LED,但有时将发光波长大于380nm时称为近紫外LED,而短于300nm时称为深紫外LED。因短波长光线的杀菌效果高,因此紫外LED常用于冰箱和家电等的杀菌及除臭等用途。

目前深紫外LED制备通常采用深紫外LED芯片封装所得,但是主要存在以下问题:紫外光提取效率较低;波长段能量高,对封装气密性和封装材料要求较高;紫外能量较高,热量大,对散热性能要求高。

尤其是封装方面,目前技术多采用有机封装和无机封装,由于有机胶体不耐UV(Ultraviolet ray,紫外线)照射,容易发黄,很难应用在深紫外LED封装领域;采用无机封装技术多采用高温煅烧匹配封装方式,虽然避免了采用有机胶的缺陷,但煅烧条件不易控制,且高温对LED封装原物料会造成一定的影响,导致封装提取效率不高。此外,由于深紫外LED波长短,能量较高,长时间使用会造成金线断裂,造成死灯现象(即LED屏灯珠不亮的情况)。

因此,现有技术有待改进。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足,提供一种深紫外发光装置,旨在解决现有深紫外LED光提取效率不高的技术问题。

为实现上述发明目的,本发明采用的技术方案如下:

本发明提供一种深紫外发光装置,包括基板、深紫外LED芯片和透镜;所述基板表面设置有凹槽和位于所述凹槽顶端周围的卡槽,所述深紫外LED芯片通过第一金属混合物固定于所述凹槽内,且所述深紫外LED芯片通过金线电性连接所述凹槽底面;所述透镜覆盖所述凹槽,且所述透镜的四周边缘通过第二金属混合物固定于所述卡槽内。

本发明提供的深紫外发光装置可以是一种贴片式的发光二极管,通过第一金属混合物将深紫外LED芯片固定于凹槽内,通过第二金属混合物将透镜边缘固定于卡槽内,同时透镜覆盖于凹槽顶端;这样,第一金属混合物位于紫外LED芯片和凹槽之间,第二金属混合物位于透镜和卡槽之间,两种金属混合物作为中间体,能够分别将紫外LED芯片和透镜有效焊接固定,实现透镜和基板表面的无缝匹配封接,从而提供器件的密闭性,防止封装材料黄化,进而有利于提升器件的光提取效率和稳定性;同时,在密闭的凹槽内,深紫外LED芯片通过金线电性连接所述凹槽底面,稳定性好,可以延长器件的使用寿命。

附图说明

图1为本发明实施例1的深紫外发光装置剖面示意图;

图2为本发明实施例2的深紫外发光装置剖面示意图;

图3为本发明金丝球焊接工艺连接示意图;

图4为本发明卡槽结构局部放大示意图;

图5为本发明透镜结构局部放大示意图;

其中,图中各附图标记:

116-深紫外LED芯片;115-基板;114-凹槽;113-金丝球焊接工艺连接;112-金线;111-透镜;110-卡槽;121-第一金球;120-第二金球;

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