[发明专利]反应腔室及等离子体产生方法在审

专利信息
申请号: 201811542254.0 申请日: 2018-12-17
公开(公告)号: CN111328174A 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: 丁安邦;陈鹏;傅新宇;荣延栋 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: H05H1/24 分类号: H05H1/24;H05H1/42;H05H1/46
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;张天舒
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 反应 等离子体 产生 方法
【权利要求书】:

1.一种反应腔室,包括腔室本体和上电极机构,其特征在于,还包括等离子体辅助激发装置,其中,

所述等离子体辅助激发装置包括诱导气体容纳部、进气口和出气口,所述诱导气体容纳部的两端分别与所述进气口和所述出气口连通,且所述出气口还与所述腔室本体内连通;

所述等离子体诱导气体能在所述诱导气体容纳部内起辉后流入所述腔室本体内,以辅助所述上电极机构使所述腔室本体内的工艺气体起辉。

2.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述等离子体辅助激发装置包括阴极部件和电源,所述阴极部件与所述电源的负极电连接;

所述阴极部件的一端开设所述进气口,另一端开设所述出气口;所述阴极部件的内部形成所述诱导气体容纳部。

3.根据权利要求2所述的反应腔室,其特征在于,所述阴极部件为阴极管,所述阴极管内部分填充有绝缘体,所述绝缘体在沿所述阴极管的轴向上形成有进气通道,所述阴极管内未填充有所述绝缘体的部分形成空腔;

所述进气通道和所述空腔相连通以形成所述诱导气体容纳部。

4.根据权利要求3所述的反应腔室,其特征在于,所述阴极部件的设有所述进气口的一端固定在腔室壁上,所述阴极部件的设有所述出气口的一端悬空在所述腔室本体内。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的反应腔室,其特征在于,所述等离子体辅助激发装置还包括位于所述腔室本体内部的阳极部件和绝缘连接件,其中,所述阳极部件通过所述绝缘连接件与所述阴极部件连接,且所述阳极部件接地。

6.根据权利要求5所述的反应腔室,其特征在于,所述反应腔室还包括第一进气管和第二进气管,所述第一进气管用于向所述腔室本体内通入所述工艺气体,所述第二进气管用于向所述腔室本体内通入所述等离子体诱导气体。

7.根据权利要求4所述的反应腔室,其特征在于,所述空腔的在沿所述阴极管径向方向的尺寸D与所述空腔的在沿所述阴极管轴向方向的尺寸H的比值范围在1.2~1.4之间。

8.一种等离子体产生方法,其特征在于,所述等离子体产生方法包括以下步骤:

步骤S101、通过进气口向诱导气体容纳部内通入等离子体诱导气体,并使所述等离子体诱导气体起辉后经出气口流入腔室本体内;

步骤S201、开启上电极机构,以使所述腔室本体内的工艺气体起辉。

9.根据权利要求8所述的等离子体产生方法,其特征在于,所述步骤S101具体为:

开启电源,向阴极部件上加载电压,以使所述诱导气体容纳部中的所述等离子诱导气体起辉。

10.根据权利要求9所述的等离子体产生方法,其特征在于,在所述步骤S201之后还包括:

步骤S2011、将向所述诱导气体容纳部内通入的所述等离子体诱导气体的流量降低至第一预设流量。

11.根据权利要求10所述的等离子体产生方法,其特征在于,在所述步骤S101之后且在所述步骤S201之前还包括:

步骤S1011、向第一进气管中通入所述工艺气体,向第二进气管中通入所述等离子体诱导气体,使所述工艺气体和所述等离子体诱导气体进入所述腔室本体内。

12.根据权利要求11所述的等离子体产生方法,其特征在于,所述步骤2011中还包括:将向所述第二进气管中通入的所述等离子体诱导气体的流量降低至第二预设流量。

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