[发明专利]半导体装置及其制作方法在审
| 申请号： | 201811538637.0 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109585485A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 冉春明;孟俊生;李志伟;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 杜文树 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体装置 光敏元件 栅格 光吸收 光反射 接收光 制作 开口 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于包括：
光敏元件的阵列；和
栅格，其布置在光敏元件的阵列上，并且对每个光敏元件分别限定了用于接收光的开口，
其中，所述栅格包括光吸收部分和在光吸收部分上方的光反射部分。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述光吸收部分由光吸收材料制成。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述光吸收部分包括主体部分和覆盖在主体部分表面的光吸收材料层。
4.根据权利要求2-3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述光吸收材料包括窄带隙半导体材料、碳和TiN中的一个或多个。
5.根据权利要求4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，窄带隙半导体材料包括锗、锗硅或砷化镓中的一个或多个。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述光反射部分由光反射材料制成。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述光反射部分包括主体部分和覆盖在主体部分表面的光反射材料层。
8.根据权利要求6-7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，光反射材料包括金属材料、二氧化硅、氮化硅中的一个或多个。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，金属材料包括钨、钛、铝、铜中的一个或多个。
10.一种制作半导体装置的方法，其特征在于包括：
在半导体衬底中形成光敏元件的阵列；和
在所述光敏元件的阵列上形成栅格，该栅格对每个光敏元件分别限定了用于接收光的开口，
其中，所述栅格包括光吸收部分和在光吸收部分上方的光反射部分。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
