[发明专利]提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路及充放电电路

权利要求书

1.一种提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路，特征在于，包括：基本保护电路、钳压电路、栅极衬底控制电路和充放电控制MOS管；

所述充放电控制MOS管的源极和漏极的一端连接至电池负端，所述充放电控制MOS管的源极和漏极的另一端连接至充电器负极或负载；所述充放电控制MOS管的栅极和衬底分别连接至所述栅极衬底控制电路；

所述基本保护电路检测电池的充放电情况，向所述栅极衬底控制电路发送控制信号，使所述栅极衬底控制电路根据所述控制信号控制所述充放电控制MOS管的导通情况，从而对电池的充放电进行控制；

所述钳压电路用于钳制栅极衬底控制电路的供电电压。

2.根据权利要求1所述的一种提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路，其特征在于：所述栅极衬底控制电路包括栅极控制部分和衬底控制部分；所述栅极控制部分与所述充放电控制MOS管的栅极连接，所述衬底控制部分与所述充放电控制MOS管的衬底连接；

当所述电池充放电时，所述栅极控制部分根据所述控制信号输出栅极控制响应信号，控制所述充放电控制MOS管的栅极电压，所述衬底控制部分根据所述控制信号输出衬底控制响应信号，控制所述充放电控制MOS管的衬底电压，从而控制所述充放电控制MOS管的导通情况。

3.根据权利要求1所述的一种提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路，其特征在于，所述钳压电路包括分压电阻R5与齐纳管；所述分压电阻R5的一端连接至供电电压VDD，所述分压电阻R5的另一端连接至所述齐纳管的负极，所述齐纳管的正极连接VSS端。

4.根据权利要求1所述的一种提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路，其特征在于，所述钳压电路包括分压电阻R5与N个单向串联的二极管，N≥1；

所述分压电阻R5的一端连接至供电电压VDD，所述分压电阻R5的另一端连接至所述N个单向串联的二极管的正端，所述N个单向串联的二极管的负端连接至VSS端。

5.根据权利要求1所述的一种提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路，其特征在于，所述钳压电路包括分压电阻R5与N个串联的NMOS管，N≥1；

所述分压电阻R5的一端连接至供电电压VDD，所述分压电阻R5的另一端通过所述N个串联的NMOS管连接至VSS端。

6.根据权利要求1所述的一种提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路，其特征在于，所述钳压电路包括分压电阻R5与N个串联的PMOS管，N≥1；

所述分压电阻R5的一端连接至供电电压VDD，所述分压电阻R5的另一端通过所述N个串联的PMOS管连接至VSS端。

7.根据权利要求1所述的一种提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路，其特征在于，所述钳压电路包括低压差线性稳压器。

8.如权利要求1所述的一种提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路，特征在于，还包括：

过温保护电路，用于检测在充放电时所述电池保护电路所集成芯片的温度，并同所述基本保护电路共同控制所述控制信号的发送。