[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，包括：

发光结构，包括第一导电型半导体层、活性层、第二导电型半导体层；

透明导电层，形成在所述第二导电型半导体层之上；

第一电极垫和第二电极垫，形成于所述发光结构上，且第一电极垫与第一导电型半导体层连接，第二电极垫与所述第二导电型半导体层连接；

第一电极延伸部和第二电极延伸部，第一电极延伸部和第二电极延伸部分别从所述第一电极垫和第二电极垫延伸，

其中，所述第一电极延伸部包括：

纵向延伸部，从所述第一电极垫沿所述发光结构的边缘沿纵向延伸；

横向延伸部，从所述纵向延伸部的末端沿所述发光结构的边缘沿横向延伸，

其中，所述横向延伸部包括多个延伸部-接触部分，使得所述横向延伸部与所述第一导电型半导体层接触，

其中，所述第二电极延伸部包括：

第一延伸部，与所述第一电极延伸部的横向延伸部相隔A1间距从所述第二电极垫延伸；

第二延伸部，从所述第一延伸部的末端朝远离所述第一电极延伸部的横向延伸部的方向延伸，其中，所述第一延伸部与所述发光结构的纵向的中心区域相隔A4间距，

其中，所述A1间距表示所述第二电极延伸部的第一延伸部与所述第一电极延伸部的横向延伸部之间的间距，

其中，所述A4间距表示所述第二电极延伸部的第一延伸部与所述发光结构的纵向中心区域之间的间距，

其中，所述A4间距小于所述A1间距。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述第二电极延伸部的第一延伸部与所述第一电极延伸部的横向延伸部平行地从所述第二电极垫延伸，所述第二延伸部具有预定的曲率半径。

3.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其中，所述第二电极延伸部的第一延伸部与所述第一电极延伸部的横向延伸部之间的间距大于所述第二电极延伸部的第二延伸部的末端与所述第一电极垫之间的间距。

4.根据权利要求3所述的半导体发光元件，其中，所述第二电极延伸部包括具有与所述第二电极延伸部的平均宽度不同的宽度的末端。

5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述第一电极垫和第二电极垫跨过所述发光结构的纵向的中心线形成，

所述第一电极垫形成于所述发光结构的一侧，所述第二电极垫形成于所述发光结构的另一侧。

6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述第二电极延伸部的第二延伸部具有朝向与发光结构体的形成有所述第一电极延伸部的横向延伸部的边缘相对的边缘弯曲的形态。

7.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其中，所述第二电极延伸部的第一延伸部与所述第一电极延伸部的横向延伸部之间的间距大于所述第二电极延伸部的第一延伸部与发光结构体的形成有所述第一电极延伸部的横向延伸部的边缘相对的边缘之间的间距。

8.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述第二电极延伸部的第二延伸部的末端至所述透明导电层的外廓的最短距离等于从所述第二电极垫的侧表面至所述透明导电层的外廓的最短距离。

9.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，还包括：绝缘层，形成在所述第一电极延伸部的横向延伸部的下部，

其中，所述绝缘层包括部分暴露所述第一导电型半导体层的开口部，

其中，所述多个延伸部-接触部分通过所述开口部与所述第一导电型半导体层欧姆接触。

10.根据权利要求9所述的半导体发光元件，其中，在所述第一电极垫下部形成有绝缘层。