[发明专利]一种氧化石墨烯上生长碳纳米片矩阵衍生碳纳米复合材料的制备方法有效
申请号: | 201811532770.5 | 申请日: | 2018-12-14 |
公开(公告)号: | CN109592676B | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 张超;陈山;刘天西;郑勇 | 申请(专利权)人: | 东华大学 |
主分类号: | C01B32/198 | 分类号: | C01B32/198;C01B32/15;H01M4/96;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人: | 黄志达;魏峯 |
地址: | 201620 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化 石墨 生长 纳米 矩阵 衍生 复合材料 制备 方法 | ||
1.一种氧化石墨烯上生长碳纳米片矩阵衍生碳纳米复合材料的制备方法,其特征在于,由质量比为1-6:1-2:1-5的三聚氯氰、哌嗪和氧化石墨烯通过溶液回流法得到具有矩阵结构的纳米复合材料前驱体;步骤包括:
(1)将氧化石墨烯分散在溶剂中,分别加入三聚氯氰、哌嗪,搅拌,-5-5℃反应,再室温反应,然后回流反应,过滤,离心并干燥,加入丙酮或者乙醇,离心,洗涤,真空干燥,得到具有矩阵结构的纳米复合材料前驱体,其中氧化石墨烯与溶剂的比例为50-500mg:40-400mL;
(2)将步骤(1)中具有矩阵结构的纳米复合材料前驱体置于惰性气氛下碳化,水洗、真空干燥,得到氧化石墨烯上生长碳纳米片矩阵衍生碳纳米复合材料。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(1)中溶剂为四氢呋喃。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(1)中-5-5℃反应时间为3-5h;室温反应时间为1-3h;搅拌回流时间为过夜。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(2)中惰性气氛为氩气氛围。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(2)中碳化的工艺参数为:升温速率2-5℃/min,碳化温度700-1000℃,保温时间1-5h。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(2)中水洗为采用去离子水洗涤6~8h。
7.一种如权利要求1所述方法制备的氧化石墨烯上生长碳纳米片矩阵衍生碳纳米复合材料。
8.一种如权利要求1所述方法制备的氧化石墨烯上生长碳纳米片矩阵衍生碳纳米复合材料的应用,其特征在于,作为非金属氧还原催化剂。
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