[发明专利]一种相变可控的全无机钙钛矿薄膜制备方法及器件应用

权利要求书

1.一种相变可控的全无机钙钛矿薄膜制备方法，其特征在于，所述方法的具体步骤如下：

(1)将先驱物溴化铅和溴化铯分别置于气相沉积装置内，将衬底置于沉积区，并对整个装置抽真空；

(2)向气相沉积装置内通入惰性气体；

(3)设定沉积温度和沉积时间，沉积温度选自500-800℃，不同沉积温度下，钙钛矿薄膜的成分和晶型不同；

其中，在加热时间60min，保持时间40min的情况下，当沉积温度为500℃时，得到的钙钛矿基本为CsPb₂Br₅相；当沉积温度为600℃、700℃时，得到的钙钛矿为CsPb₂Br₅-CsPbBr₃双相结构，并随着温度升高CsPbBr₃相增多；当沉积温度为750℃时，得到的钙钛矿基本为CsPbBr₃相；当衬底温度为800℃时 ，钙钛矿薄膜降解。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，抽真空至100Pa，并重复3次，以去除多余的氧气和水蒸气。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述衬底材料为硅。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，惰性气体为氩气，流量为80sccm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中加热程序为：从室温加热到设定的温度时间为60min，然后保持时间为40min，停止加热，冷却到室温。

6.一种钙钛矿光电器件制备方法，其特征在于，所述器件包括衬底和钙钛矿薄膜，所述衬底为叉指电极，所述钙钛矿薄膜通过如权利要求1-5中任意一项所述的制备方法制备。

7.根据权利要求6所述的钙钛矿光电器件制备方法，其特征在于，所述叉指电极为硅衬底，电极材料为金。