[发明专利]一种含伊/蒙粘土的光伏封装薄膜用抗PID功能母粒及其制备方法

权利要求书

1.一种含伊/蒙粘土的光伏封装薄膜用抗PID功能母粒，其特征在于，所述的母粒按照重量百分比计由以下组分构成：EVA 树脂50~88%、改性磷酸锆晶体4~20%、交联剂0.5~10%、硅烷偶联剂0.5~2.5%以及纳米伊/蒙粘土5~15%，余量为助剂；

所述的助剂包括占母粒总质量0.5~10%的助交联剂、0.05~0.50%的抗紫外吸收剂、0.5~2.5%的光稳定剂以及0.4~2.0%抗氧剂；

所述的EVA 树脂中醋酸乙烯的含量为25~28%；

改性磷酸锆晶体的具体制备方法如下：将30~50mL硅烷偶联剂倒入150mL乙醇溶剂中混合30~35min，同时将磷酸锆粉体置于110℃的电热恒温鼓风干燥箱中烘30min后，投入到预先加热至95℃的高速搅拌机中，开动搅拌机，转速为250r/min，然后用滴管把硅烷偶联剂/乙醇溶液逐滴滴入高速搅拌机中，连续搅拌10~30min后，卸料得到改性磷酸锆晶体。

2.根据权利要求1所述的一种含伊/蒙粘土的光伏封装薄膜用抗PID功能母粒，其特征在于，所述的硅烷偶联剂为乙烯基三甲氧基硅烷、甲基乙烯基二甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷或者γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种含伊/蒙粘土的光伏封装薄膜用抗PID功能母粒，其特征在于，所述的交联剂为叔丁基过氧化碳-2-乙基己酯、二（4-甲基苯甲酰）过氧化物、过氧化二异丙苯、2,5-二甲基-2,5-二（叔丁基过氧化）己烷或者1,1-二（叔丁基过氧）环己烷中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种含伊/蒙粘土的光伏封装薄膜用抗PID功能母粒，其特征在于，所述的伊/蒙粘土的粒度为25~95nm。

5.根据权利要求1所述的一种含伊/蒙粘土的光伏封装薄膜用抗PID功能母粒，其特征在于，所述的助交联剂为三烯丙基异聚氰酸酯或甲基三烯丙基异氰脲酸酯中的一种；所述的抗紫外吸收剂为2，4-二羟基二苯甲酮、2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮或者2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮中的一种；所述的光稳定剂为PR-25、PR-31、光稳定剂944或者光稳定剂783中的一种；所述的抗氧剂为抗氧剂264、抗氧剂BHT、抗氧剂1076、抗氧剂164或者抗氧剂TNP中的一种。

6.一种如权利要求1~5任一项所述的含伊/蒙粘土的光伏封装薄膜用抗PID功能母粒的制备方法，其特征在于，所述的制备方法如下：

（1）改性磷酸锆晶体的制备：将磷酸锆粉体与硅烷偶联剂进行反应，得到改性磷酸锆晶体；

（2）物料称取：按照配方依次称取EVA 树脂、改性磷酸锆晶体、交联剂、助交联剂、硅烷偶联剂、抗紫外吸收剂、纳米伊/蒙粘土、光稳定剂以及抗氧剂；

（3）初混：将称取完毕后的物料置于低速搅拌机中共混，得到各组分分散均一的初混料；

（4）挤出切粒：将初混料加入到双螺杆挤出机中进行二次混合，混合物料经熔融塑化、捏合混炼、挤出、冷却、切粒、干燥，得到初级产品。

7.根据权利要求6所述的一种含伊/蒙粘土的光伏封装薄膜用抗PID功能母粒的制备方法，其特征在于，所述的步骤（1）中改性磷酸锆晶体的具体制备方法如下：将30~50mL硅烷偶联剂倒入150mL乙醇溶剂中混合30~35min，同时将磷酸锆粉体置于110℃的电热恒温鼓风干燥箱中烘30min后，投入到预先加热至95℃的高速搅拌机中，开动搅拌机，转速为250r/min，然后用滴管把硅烷偶联剂/乙醇溶液逐滴滴入高速搅拌机中，连续搅拌10~30min后，卸料得到改性磷酸锆晶体。

8.根据权利要求7所述的一种含伊/蒙粘土的光伏封装薄膜用抗PID功能母粒的制备方法，其特征在于，所述的步骤（1）中硅烷偶联剂/乙醇溶液的质量为磷酸锆粉体质量的1/5~1/2。

9.根据权利要求6所述的一种含伊/蒙粘土的光伏封装薄膜用抗PID功能母粒的制备方法，其特征在于，所述的步骤（3）中的低速搅拌机的搅拌速率为300~600 r/min，所述的步骤（4）中挤出机1区到10区温度设置为58℃、65℃、65℃、65℃、65℃、70℃、70℃、70℃、70℃、70℃，机头为65℃，所述的挤出机主机转速为600 r/min，主喂料Ⅰ转速为82 r/min，主喂料Ⅱ转速60 r/min，物料温度为60℃，水箱温度为60℃，熔体压力为10~15MPa。