[发明专利]基于磁控溅射法制备树枝状非晶MoS2 有效
| 申请号： | 201811531214.6 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109576658B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 张湉;夏钰东;王红艳;张勇;赵勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都华飞知识产权代理事务所(普通合伙) 51281 | 代理人： | 杜群芳 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 磁控溅射 法制 树枝 状非晶 mos base sub | ||
1.一种基于磁控溅射法制备树枝状非晶MoS2纳米结构的方法，其特征在于，以MoS2作为靶材，以石英片作为基底，将靶材、基底设置在密闭环境中，调整基底与靶材之间的距离为9cm~12cm，并将基底与水平面的夹角调整为5°，然后将密闭环境抽真空处理，在密闭环境气压降至2×10-4时，向密闭环境中通入氩气作为溅射气体；然后控制密闭环境的气压为0.15Pa~0.2Pa，通过直流溅射源进行磁控溅射，溅射时间为40min~90min，得到树枝状非晶MoS2纳米结构；所述MoS2采用纯度不低于99.99%的MoS2；所述石英片先依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中进行超声清洗，然后氮气吹干，再作为基底；所述基底在溅射过程中自旋，基底的自旋转速为1r/min。
2.根据权利要求1所述的基于磁控溅射法制备树枝状非晶MoS2纳米结构的方法，其特征在于，所述石英片依次在丙酮溶液中超声清洗20min、无水乙醇溶液中超声清洗20min、去离子水中溶液中超声清洗5min。
3.根据权利要求1所述的基于磁控溅射法制备树枝状非晶MoS2纳米结构的方法，其特征在于，所述直流溅射源的溅射电流为0.1A。
4.根据权利要求1所述的基于磁控溅射法制备树枝状非晶MoS2纳米结构的方法，其特征在于，所述氩气的流量为12.5sccm～20sccm。
5.根据权利要求1所述的基于磁控溅射法制备树枝状非晶MoS2纳米结构的方法，其特征在于，通过磁控溅射仪器进行制备。
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