[发明专利]图案描绘方法、光掩模及其制造方法、显示装置的制造方法

说明书

本发明涉及图案描绘方法、光掩模的制造方法、光掩模、以及显示装置的制造方法。降低图案CD的变动，得到稳定的成品率。图案描绘方法包括：校正工序，依据预先求出的校正值来校正设计图案数据，从而得到校正图案数据，该校正值以使通过对光掩模进行曝光而在被转印体上得到的孔/点图案的CD与目标值相等的方式求出；以及描绘工序，应用校正图案数据，利用描绘装置来进行描绘。描绘装置在与光掩模基板面平行的面内，在X方向和与X方向垂直的Y方向上通过CD控制精度不同的驱动方式被驱动。在校正工序中，通过在设计图案数据中对孔/点图案的CD进行如下校正而得到校正图案数据，在该校正中，使在X方向和Y方向中的CD控制精度较高的方向上的CD变更。

技术领域

本发明涉及用于制造电子设备的光掩模，特别涉及对用于制造以液晶显示面板(LCD)、有机EL显示器(OLED)等为代表的显示装置的光掩模有用的光掩模的制造方法，以及在该制造方法中使用的图案描绘方法。

背景技术

在专利文献1(以后，称为文献1)中记载了在制造光掩模时，校正在显影阶段产生的图案线宽变化并进行曝光的方法。该曝光方法包括如下阶段：通过具备规定的线宽的测试图案而在光掩模基板上形成测定图案的阶段；将光掩模基板上的区域分割成网格，针对各个网格来测定所述测定图案的线宽，并决定所测定的线宽与所述测试图案的线宽之差即图案线宽变化量ΔCD的阶段；制作图表的阶段，该图表表示自任意确定的基准网格的距离为r的网格的所述测定的图案线宽变化量ΔCD(r)相对于所述距离r的分布；根据所述图表来预测光掩模基板上的自所述基准网格的距离为x的任意的地点的图案线宽变化量ΔCD(x)的阶段；针对所述光掩模基板上的各个地点，为了使所述预测的图案线宽变化量ΔCD(x)为负的区域的图案线宽扩大，使所述预测的图案线宽变化量ΔCD(x)为正的区域的图案线宽缩小而对图案线宽数据进行校正的阶段；以及将针对所述光掩模基板上的各个地点进行校正而得到的图案线宽数据应用于曝光装备的阶段。

专利文献

专利文献1：日本特开2003-107665号公报

发明内容

根据文献1，在制造半导体装置制造用的光掩模时，针对在显影阶段中产生的图案线宽变化进行补偿从而提高图案线宽的均匀度。

但是，根据本发明人的研究，在制造光掩模时除了在显影阶段产生的图案的线宽变化以外，还存在使图案线宽(即CD：Critical Dimension：特征尺寸)发生变化的要因。例如，在光掩模的制造过程中，还存在由描绘装置引起的CD误差，或者在利用光掩模而在被转印体上曝光图案的阶段、曝光后的图案的显影等各种阶段中，都存在导致CD变化的要因。因此，仅通过文献1的方法，通过光掩模的曝光是难以得到优异的装置(显示装置等)的。

因此，本发明以如下事项为课题而完成：在制造作为最终产品的电子设备(例如显示装置)时，降低图案CD的变动，得到稳定的成品率和生产效率。

(第1方式)

本发明的第1方式为一种图案描绘方法，其用于根据规定的设计图案数据而在光掩模基板上进行描绘，来形成具有包括孔/点图案的转印用图案的光掩模，

该图案描绘方法的特征在于，包括：

校正工序，其中，依据预先求出的校正值来校正所述设计图案数据，从而得到校正图案数据，使得通过对所述光掩模进行曝光而在被转印体上得到的孔/点图案的CD与目标值相等；以及

描绘工序，其中，应用所述校正图案数据，利用描绘装置进行描绘，

所述描绘装置在与所述光掩模基板面平行的面内，在X方向和与所述X方向垂直的Y方向上通过CD控制精度不同的驱动方式被驱动，

在所述校正工序中，通过在设计图案数据中对所述孔/点图案的CD进行如下校正，来得到校正图案数据，在该校正中，使X方向和Y方向中的CD控制精度较高的方向上的CD变更。

(第2方式)