[发明专利]一种用于改善硅超晶格薄膜光电特性的低温微波退火方法

权利要求书

1.一种用于改善硅超晶格薄膜光电特性的低温微波退火方法，其特征在于，硅超晶格薄膜选自Si/SiGe、Si/SiC、Si/Ge、Si/SiO₂、SiO_x/SiO₂或SiN_x/SiO₂超晶格薄膜中任一种；具体步骤如下：

步骤1，退火前，对微波退火腔预先通入惰性气体，使得腔内为纯净的惰性气氛；

步骤2，继续通入惰性气体作为退火气氛，将硅超晶格薄膜放入微波退火腔的中间位置，设定退火功率和退火过程中的最高温度，并设定相应时长的退火时间，开始微波退火；其中：退火过程中的最高温度为300~500℃；

步骤3，微波退火结束后，待腔内温度自然冷却，得到改性优化的硅超晶格薄膜；其中：

步骤2中，微波中心频率是5.5~6.0 GHz，退火功率设定为500~700 W，退火时间为5~25min。

2.根据权利要求1所述的低温微波退火方法，其特征在于，步骤1和步骤2中，惰性气体为氮气或者氩气。

3.根据权利要求1所述的低温微波退火方法，其特征在于，步骤2中，惰性气体的流量设定为10~50 sccm。