[发明专利]一种利用等离子体增强原子层沉积调控氧化硅薄膜化学计量比的方法

权利要求书

1.一种利用等离子体增强原子层沉积调控氧化硅薄膜化学计量比的方法，其特征在于，其

以TDMAS和等离子体氧气为前驱体源，通过调控生长温度、TDMAS通入PEALD反应腔室的时间、离子体氧气通入时间与氧气的流量，实现不同化学计量比的氧化硅薄膜的制备。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，在装有清洗过的衬底的PEALD反应腔室内通入TDMAS；

步骤2，在PEALD反应腔室内通入惰性气体吹扫；

步骤3，在PEALD反应腔室内通入氧气等离子体进行氧化形成氧化硅层；

步骤4，在PEALD反应腔室内通入惰性气体吹扫；

步骤1~4依次循环执行若干次，以形成预定厚度的Si和O的原子比在1.6~2.0之间的氧化硅薄膜；其中：

步骤1中，TDMAS的通入时间为2-4秒；

步骤2和步骤4中的惰性气体的通入时间为4秒；

步骤3中，氧气等离子体的通入时间为2-8秒，氧气的流量为25-50sccm。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤1~4的PEALD循环过程中，PEALD反应腔内的温度在100℃-250℃之间，真空度为1-4mbar。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤3中，等离子体的功率为50-200W。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于， 形成厚度在5nm-20 nm之间的Si和O的原子比在1.6~2.0之间的氧化硅薄膜。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤2和步骤4中，惰性气体为氩气。